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DMN2013UFDE-7	文件：220.14 Kbytes Page：6 Pages	20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：220.14 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
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详细参数

型号：
DMN2013UFDE-7
功能描述：
MOSFET MOSFET
BVDSS：
8V-24V U-DFN2020-6 T&R 3K
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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