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DMN2400UFB-7

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

Features Low On-Resistance Low Gate Threshold Voltage Low Input Capacitance Fast Switching Speed Low Input/Output Leakage Ultra-Small Surface Mount Package ESD Protected up to 1.5kV Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)

文件:407.97 Kbytes 页数:7 Pages

DIODES

美台半导体

DMN2400UFB-7B

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

Features Low On-Resistance Low Gate Threshold Voltage Low Input Capacitance Fast Switching Speed Low Input/Output Leakage Ultra-Small Surface Mount Package ESD Protected up to 1.5kV Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)

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DIODES

美台半导体

DMN24H3D5L-7

SOT-23

DIODES

美台半导体

上传:深圳市科芯源微电子有限公司

DMN26D0UT-7

SOT-523

DIODES

美台半导体

上传:深圳市宇创芯科技有限公司

DMN3007LSS-13

SOIC-8_150mil

DIODES/美台

详细参数

  • 型号:

    DMN2400UFB-7

  • 功能描述:

    MOSFET MOSFET

  • BVDSS:

    8V-24V X1-DFN1006-3 T&R 3K

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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更多DMN2400UFB-7供应商 更新时间2026-2-6 22:58:00