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DMN2112SN-7

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

Description This new generation MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(on)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high-efficiency power management applications. Features • Low On-Resistance • ESD Protected Gate • Totally Lead-Free & Full

文件:228.88 Kbytes 页数:3 Pages

DIODES

美台半导体

DMN2112SN-7

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

文件:441.77 Kbytes 页数:5 Pages

DIODES

美台半导体

DMN2300UFD-7-81

X1-DFN1212-3

DIODES/美台

DMN24H3D5L-7

SOT-23

DIODES

美台半导体

上传:深圳市科芯源微电子有限公司

DMN26D0UT-7

SOT-523

DIODES

美台半导体

上传:深圳市宇创芯科技有限公司

详细参数

  • 型号:

    DMN2112SN-7

  • 功能描述:

    MOSFET 20V 1.2A

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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SC-59SOT23
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