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DMN2004VK-7	文件：155.01 Kbytes Page：4 Pages	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Features • Dual N-Channel MOSFET • Low On-Resistance • Low Gate Threshold Voltage • Low Input Capacitance • Fast Switching Speed • Ultra-Small Surface Mount Package • ESD Protected Gate • Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) • Halogen and Antimony Free. “Green” D 文件：155.01 Kbytes 页数：4 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN2004VK-7	文件：210.85 Kbytes Page：6 Pages	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：210.85 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN2004VK-7	文件：210.01 Kbytes Page：6 Pages	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR 文件：210.01 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMP2004VK-7	文件：147.93 Kbytes Page：5 Pages	DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Description This MOSFET has been designed to minimize the on-state resistance (RDS(on)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications. Features • Dual P-Channel MOSFET • Low On-Resistance • Very Low Gate Threshold Voltage VG 文件：147.93 Kbytes 页数：5 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES

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中天科工半导体（深圳）有限公司	DMN2004VK-7	DIODES/美台	25+	SOT563	38040	DIODES/美台全新特价DMN2004VK-7即刻询购立享优惠#长期有货	询价
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更多DMN2004VK-7供应商更新时间2026-1-24 14:14:00