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DMN2028USS

20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

文件:272.91 Kbytes 页数:8 Pages

DIODES

美台半导体

DMN2028USS_15

20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

文件:236.93 Kbytes 页数:7 Pages

DIODES

美台半导体

DMN2028USS-13

20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

文件:272.91 Kbytes 页数:8 Pages

DIODES

美台半导体

DMN2028USS

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

This new generation 20V N channel enhancement mode MOSFET has been designed to minimise RDS(on) and yet maintain superior switching performance. This device is ideally suited to backlight, motor control and other power management functions.

Diodes

美台半导体

技术参数

  • Automotive Compliant PPAP:

    On Request*

  • Polarity:

    N

  • ESD Diodes:

    Yes

  • VDS:

    20 V

  • VGS:

    N/A ±V

  • IDS @ TA = +25°C:

    9.8 A

  • PD @ TA = +25°C:

    2.8 W

  • RDS(ON) Max @ VGS (10V):

    N/A mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (4.5V):

    20 mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (2.5V):

    N/A mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (1.8V):

    N/A mΩ

  • VGS (th) Max:

    1.3 V

  • QG Typ @ VGS = 4.5V (nC):

    11.6 nC

  • QG Typ @ VGS = 10V (nC):

    28.5 nC

  • Packages:

    SO-8

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
NK/南科功率
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DIODES原装优势主营型号-可开原型号增税票
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更多DMN2028USS供应商 更新时间2026-1-21 14:01:00