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DMN2004K	文件：152.59 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Description This new generation MOSFET has been designed to minimize the on-state resistance (RDS(on)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high-efficiency power management applications. Features and Benefits • Low On-Resistance: RDS(on) = 550(max)mΩ @ VGS = 4.5V 文件：152.59 Kbytes 页数：4 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN2004K	文件：194.7 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR 文件：194.7 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN2004K-7	文件：152.59 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Description This new generation MOSFET has been designed to minimize the on-state resistance (RDS(on)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high-efficiency power management applications. Features and Benefits • Low On-Resistance: RDS(on) = 550(max)mΩ @ VGS = 4.5V 文件：152.59 Kbytes 页数：4 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN2004K_10	文件：194.7 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR 文件：194.7 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN2004K_15	文件：153.96 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：153.96 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN2004K-7	文件：194.7 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR 文件：194.7 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN2004K	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET	Diodes 美台半导体	Diodes

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
On Request*
Polarity：
N
ESD Diodes：
Yes
VDS：
20 V
VGS：
8 ±V
IDS @ TA = +25°C：
0.63 A
PD @ TA = +25°C：
0.35 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
550 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
700 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
900 mΩ
VGS (th) Max：
1 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
0.9 nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
N/A nC
Packages：
SOT23

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市一线半导体有限公司	DMN2004K	DIODES	24+	SOT23	15000		询价
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