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DMN2112SN	文件：228.88 Kbytes Page：3 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Description This new generation MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(on)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high-efficiency power management applications. Features • Low On-Resistance • ESD Protected Gate • Totally Lead-Free & Full 文件：228.88 Kbytes 页数：3 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN2112SN	文件：84.09 Kbytes Page：1 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Features • Low On-Resistance • Ideal for Notebook Computer, Portable Phone, PCMCIA Cards, and Battery Powered Circuits • Lead Free By Design/RoHS Compliant (Note 2) • Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability • ESD Protected Gate • Green Device (Note 3) Mechanical Data • Cas 文件：84.09 Kbytes 页数：1 Pages	ZPSEMIZP Semiconductor 至尚臻品	ZPSEMI
DMN2112SN	文件：222.41 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR 文件：222.41 Kbytes 页数：4 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN2112SN	文件：441.77 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR 文件：441.77 Kbytes 页数：5 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN2112SN-7	文件：228.88 Kbytes Page：3 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Description This new generation MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(on)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high-efficiency power management applications. Features • Low On-Resistance • ESD Protected Gate • Totally Lead-Free & Full 文件：228.88 Kbytes 页数：3 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN2112SN_0711	文件：222.41 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR 文件：222.41 Kbytes 页数：4 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN2112SN_15	文件：216.69 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR 文件：216.69 Kbytes 页数：5 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN2112SN_17	文件：441.77 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR 文件：441.77 Kbytes 页数：5 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN2112SN-7	文件：441.77 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR 文件：441.77 Kbytes 页数：5 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN2112SN	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR	Diodes 美台半导体	Diodes

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
On Request*
Polarity：
N
ESD Diodes：
Yes
VDS：
20 V
VGS：
8 ±V
IDS @ TA = +25°C：
1.2 A
PD @ TA = +25°C：
0.5 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
100 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
140 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
250 mΩ
VGS (th) Max：
1.2 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
N/A nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
N/A nC
Packages：
SC59

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