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DMN2112SN中文资料N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR数据手册Diodes规格书

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厂商型号

DMN2112SN

功能描述

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

制造商

Diodes Diodes Incorporated

中文名称

美台半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-27 22:59:00

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技术参数

  • 制造商编号

    :DMN2112SN

  • 生产厂家

    :Diodes

  • Automotive Compliant PPAP

    :On Request*

  • Polarity

    :N

  • ESD Diodes

    :Yes

  • VDS

    :20 V

  • VGS

    :8 ±V

  • IDS @ TA = +25°C

    :1.2 A

  • PD @ TA = +25°C

    :0.5 W

  • RDS(ON) Max @ VGS (10V)

    :N/A mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)

    :100 mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)

    :140 mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)

    :250 mΩ

  • VGS (th) Max

    :1.2 V

  • QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)

    :N/A nC

  • QG Typ @ VGS = 10V (nC)

    :N/A nC

  • Packages

    :SC59

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