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DMN2050LQ数据手册Diodes中文资料规格书

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厂商型号

DMN2050LQ

功能描述

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

制造商

Diodes Diodes Incorporated

中文名称

美台半导体

数据手册

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更新时间

2025-8-7 23:00:00

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DMN2050LQ规格书详情

描述 Description

This MOSFET is designed to meet the stringent requirements of automotive applications. It is qualified to AEC-Q101, supported by a PPAP and is ideal for use.

特性 Features

•Low On-Resistance
•29m @VGS = 4.5V
•50m @VGS = 2.5V
•100m @VGS = 2.0V
•Very Low Gate Threshold Voltage
•Low Input Capacitance
•Fast Switching Speed

技术参数

  • 制造商编号

    :DMN2050LQ

  • 生产厂家

    :Diodes

  • Automotive Compliant PPAP

    :Yes

  • Polarity

    :N

  • ESD Diodes

    :No Y/N

  • VDS

    :20 V

  • VGS

    :12 ±V

  • IDS @ TA = +25°C

    :5.9 A

  • PD @ TA = +25°C

    :1.4 W

  • RDS(ON) Max @ VGS (10V)

    :NA mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)

    :29 mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)

    :50 mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)

    :NA mΩ

  • VGS(th) Min. (V)

    :0.45 V

  • VGS (th) Max

    :1.4 V

  • CISS Typ

    :532 pF

  • CISS Condition [@VDS]

    :10 V

  • QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)

    :N/A

  • QG Typ @ VGS = 10V (nC)

    :6.7 nC

  • Packages

    :SOT23

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