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DXT5551	文件：238.33 Kbytes Page：1 Pages	TECHNICAL SPECIFICATIONS OF NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description Designed for general purpose applications requiring high breakdown voltages. 文件：238.33 Kbytes 页数：1 Pages	DCCOM 道全	DCCOM
DXT5551	文件：372.59 Kbytes Page：6 Pages	160V NPN TRANSISTOR 文件：372.59 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DXT5551P5	文件：135.97 Kbytes Page：7 Pages	160V NPN HIGH VOLTAGE TRANSISTOR PowerDI짰5 Features and Benefits • 43 smaller than SOT223; 60 smaller than TO252 • Maximum height just 1.1mm • Rated up to 2.25W • BVCEO > 160V • IC(cont) = 0.6A • Lead Free, RoHS Compliant (Note 1) • Halogen and Antimony Free, “Green” Device (Note 2) • Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliab 文件：135.97 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DXT5551P5-13	文件：135.97 Kbytes Page：7 Pages	160V NPN HIGH VOLTAGE TRANSISTOR PowerDI짰5 Features and Benefits • 43 smaller than SOT223; 60 smaller than TO252 • Maximum height just 1.1mm • Rated up to 2.25W • BVCEO > 160V • IC(cont) = 0.6A • Lead Free, RoHS Compliant (Note 1) • Halogen and Antimony Free, “Green” Device (Note 2) • Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliab 文件：135.97 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DXT5551_15	文件：419.2 Kbytes Page：6 Pages	160V NPN TRANSISTOR IN SOT89 文件：419.2 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DXT5551_17	文件：372.59 Kbytes Page：6 Pages	160V NPN TRANSISTOR 文件：372.59 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DXT5551-13	文件：372.59 Kbytes Page：6 Pages	160V NPN TRANSISTOR 文件：372.59 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DXT5551P5_1011	文件：137.45 Kbytes Page：7 Pages	160V NPN HIGH VOLTAGE TRANSISTOR 文件：137.45 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DXT5551P5_15	文件：137.45 Kbytes Page：7 Pages	160V NPN HIGH VOLTAGE TRANSISTOR PowerDI짰5 文件：137.45 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DXT5551P5Q	文件：300 bytes Page：1 Pages	160V NPN HIGH VOLTAGE TRANSISTOR •BVCEO > 160V\n•IC = 0.6A High Continuous Collector Current\n•PD up to 2.25W\n•43% smaller than SOT223; 60% smaller than TO252\n•Maximum Height just 1.1mm;	Diodes 美台半导体	Diodes

技术参数

Compliance (Only Automotive supports PPAP)：
DXT5551P5Q
Product Type：
NPN
IC (A)：
0.6 A
ICM (A)：
N/A A
PD (W)：
2.25 W
hFE (min)：
80 Min
hFE(@ IC)：
0.01 A
hFE(Min 2)：
30
hFE(@ IC2)：
0.05 A
VCE (SAT)Max (mV)：
N/A mV
VCE (SAT) (@ IC/IB) (A/m A)：
1/50
VCE (SAT) (@ IC/IB2) (A/mA)：
0.05/5
fT (MHz)：
130
VCE (SAT)(Max.2)：
N/A mV
RCE(SAT)：
N/A mΩ
Packages：
PowerDI5

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