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DXT5551P5-13

160V NPN HIGH VOLTAGE TRANSISTOR PowerDI짰5

Features and Benefits • 43 smaller than SOT223; 60 smaller than TO252 • Maximum height just 1.1mm • Rated up to 2.25W • BVCEO > 160V • IC(cont) = 0.6A • Lead Free, RoHS Compliant (Note 1) • Halogen and Antimony Free, “Green” Device (Note 2) • Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliab

文件:135.97 Kbytes 页数:7 Pages

DIODES

美台半导体

DXT5551P5-13

Package:PowerDI™ 5;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS NPN 160V 0.6A POWERDI5

PAM

龙鼎微

DXTN26070CY-13

DIODES/美台
SOT-89(SOT-89-3)

DIODES/美台

DXW21BN7511SL

MURATA
SMD

产品属性

  • 产品编号:

    DXT5551P5-13

  • 制造商:

    Diodes Incorporated

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    200mV @ 5mA,50mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    50nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    80 @ 10mA,5V

  • 频率 - 跃迁:

    130MHz

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    PowerDI™ 5

  • 供应商器件封装:

    PowerDI™ 5

  • 描述:

    TRANS NPN 160V 0.6A POWERDI5

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