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DXT5551P5-13分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
DXT5551P5-13 |
| 参数属性 | DXT5551P5-13 封装/外壳为PowerDI™ 5；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS NPN 160V 0.6A POWERDI5 |
| 功能描述 | 160V NPN HIGH VOLTAGE TRANSISTOR PowerDI짰5 |
| 封装外壳 | PowerDI™ 5 |
| 文件大小 |
135.97 Kbytes |
| 页面数量 |
7 页 |
| 生产厂商 | Diodes Incorporated |
| 企业简称 |
DIODES【美台半导体】 |
| 中文名称 | 美台半导体官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-7-31 23:00:00 |
| 人工找货 | DXT5551P5-13价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
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Features and Benefits
• 43 smaller than SOT223; 60 smaller than TO252
• Maximum height just 1.1mm
• Rated up to 2.25W
• BVCEO > 160V
• IC(cont) = 0.6A
• Lead Free, RoHS Compliant (Note 1)
• Halogen and Antimony Free, “Green” Device (Note 2)
• Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability
Applications
• Telecom line driver
产品属性
- 产品编号：
DXT5551P5-13
- 制造商：
Diodes Incorporated
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型：
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
200mV @ 5mA，50mA
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
50nA（ICBO）
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
80 @ 10mA，5V
- 频率 - 跃迁：
130MHz
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
PowerDI™ 5
- 供应商器件封装：
PowerDI™ 5
- 描述：
TRANS NPN 160V 0.6A POWERDI5
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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