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DXT5551P5分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

DXT5551P5
厂商型号

DXT5551P5

参数属性

DXT5551P5 封装/外壳为PowerDI™ 5;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:PWR HI VOLTAGE TRANSISTOR PDI5

功能描述

160V NPN HIGH VOLTAGE TRANSISTOR PowerDI짰5

封装外壳

PowerDI™ 5

文件大小

135.97 Kbytes

页面数量

7

生产厂商 Diodes Incorporated
企业简称

DIODES美台半导体

中文名称

美台半导体官网

原厂标识
DIODES
数据手册

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更新时间

2025-8-1 23:00:00

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DXT5551P5规格书详情

Features and Benefits

• 43 smaller than SOT223; 60 smaller than TO252

• Maximum height just 1.1mm

• Rated up to 2.25W

• BVCEO > 160V

• IC(cont) = 0.6A

• Lead Free, RoHS Compliant (Note 1)

• Halogen and Antimony Free, “Green” Device (Note 2)

• Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability

Applications

• Telecom line driver

产品属性

  • 产品编号:

    DXT5551P5Q-13

  • 制造商:

    Diodes Incorporated

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 系列:

    Automotive, AEC-Q101

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    200mV @ 5mA,50mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    50nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    80 @ 10mA,5V

  • 频率 - 跃迁:

    130MHz

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    PowerDI™ 5

  • 供应商器件封装:

    PowerDI™ 5

  • 描述:

    PWR HI VOLTAGE TRANSISTOR PDI5

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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