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DXT5551P5Q	文件：300 bytes Page：1 Pages	160V NPN HIGH VOLTAGE TRANSISTOR •BVCEO > 160V\n•IC = 0.6A High Continuous Collector Current\n•PD up to 2.25W\n•43% smaller than SOT223; 60% smaller than TO252\n•Maximum Height just 1.1mm;	Diodes 美台半导体	Diodes
DXT5551P5Q-13	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：PowerDI™ 5；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：PWR HI VOLTAGE TRANSISTOR PDI5	PAM 龙鼎微	PAM
DXT5551P5	文件：135.97 Kbytes Page：7 Pages	160V NPN HIGH VOLTAGE TRANSISTOR PowerDI짰5 Features and Benefits • 43 smaller than SOT223; 60 smaller than TO252 • Maximum height just 1.1mm • Rated up to 2.25W • BVCEO > 160V • IC(cont) = 0.6A • Lead Free, RoHS Compliant (Note 1) • Halogen and Antimony Free, “Green” Device (Note 2) • Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliab 文件：135.97 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DXTN26070CY-13	文件：0 bytes Page：0 Pages	DIODES/美台 SOT-89(SOT-89-3)	DIODES/美台上传：深圳市纳睿斯电子科技有限公司	DIODES/美台
DXW21BN7511SL	文件：0 bytes Page：0 Pages	MURATA SMD	MuRata 村田上传：深圳市纳艾斯科技有限公司	MuRata

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
Yes
Product Type：
NPN
IC：
0.6 A
ICM：
N/A A
PD：
2.25 W
hFE：
80 Min
hFE (@ IC)：
0.01 A
hFE (Min 2)：
30
hFE (@ IC2)：
0.05 A
VCE (SAT) Max：
150 mV
VCE (SAT) (@ IC/IB) (A/m A)：
0.01/1
VCE (SAT) (@ IC/IB2) (A/m A)：
0.05/5
fT (MHz)：
130
VCE (SAT) (Max.2)：
200 mV
RCE(SAT)：
N/A mΩ
Packages：
PowerDI5

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更多DXT5551P5Q供应商更新时间2025-10-12 16:01:00

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