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DXT5551P5Q中文资料160V NPN HIGH VOLTAGE TRANSISTOR数据手册Diodes规格书
| 厂商型号 |
DXT5551P5Q |
| 参数属性 | DXT5551P5Q 封装/外壳为PowerDI™ 5；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：PWR HI VOLTAGE TRANSISTOR PDI5 |
| 功能描述 | 160V NPN HIGH VOLTAGE TRANSISTOR |
| 封装外壳 | PowerDI™ 5 |
| 制造商 | Diodes Diodes Incorporated |
| 中文名称 | 美台半导体 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-27 10:40:00 |
| 人工找货 | DXT5551P5Q价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
DXT5551P5Q规格书详情
特性 Features
•BVCEO > 160V
•IC = 0.6A High Continuous Collector Current
•PD up to 2.25W
•43% smaller than SOT223; 60% smaller than TO252
•Maximum Height just 1.1mm
应用 Application
• Telecom line driver
简介
DXT5551P5Q属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由制造生产的DXT5551P5Q晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 制造商编号
：DXT5551P5Q
- 生产厂家
：Diodes
- Automotive Compliant PPAP
：Yes
- Product Type
：NPN
- IC
：0.6 A
- ICM
：N/A A
- PD
：2.25 W
- hFE
：80 Min
- hFE (@ IC)
：0.01 A
- hFE (Min 2)
：30
- hFE (@ IC2)
：0.05 A
- VCE (SAT) Max
：150 mV
- VCE (SAT) (@ IC/IB) (A/m A)
：0.01/1
- VCE (SAT) (@ IC/IB2) (A/m A)
：0.05/5
- fT (MHz)
：130
- VCE (SAT) (Max.2)
：200 mV
- RCE(SAT)
：N/A mΩ
- Packages
：PowerDI5
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
DIODES |
2016+ |
TO-126 |
8450 |
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询价 | ||
DIODES/美台 |
24+ |
SOT-89-3 |
25000 |
原装正品公司现货,假一赔十! |
询价 | ||
DIODES/美台 |
23+ |
SOT-89 |
10065 |
原装正品,有挂有货,假一赔十 |
询价 | ||
DIODES/美台 |
24+ |
SOT-89 |
9600 |
原装现货,优势供应,支持实单! |
询价 | ||
DIODES |
17PB |
SOT-89 |
1000 |
现货 |
询价 | ||
DIODES |
22+ |
NA |
12080 |
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询价 | ||
DIODES/美台 |
2022+ |
SOT89 |
2500 |
原厂代理 终端免费提供样品 |
询价 | ||
DIODES/美台 |
24+ |
N/A |
500000 |
美台原厂超低价支持 |
询价 | ||
DIODES/美台 |
20+ |
SOT-89 |
2084 |
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询价 | ||
DIODES/美台 |
2511 |
SOT89 |
360000 |
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询价 |
