DXT5551P5中文资料NPN, 160V, 0.6A, PowerDI5数据手册Diodes规格书

厂商型号 |
DXT5551P5 |
参数属性 | DXT5551P5 封装/外壳为PowerDI™ 5;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:PWR HI VOLTAGE TRANSISTOR PDI5 |
功能描述 | NPN, 160V, 0.6A, PowerDI5 |
封装外壳 | PowerDI™ 5 |
制造商 | Diodes Diodes Incorporated |
中文名称 | 美台半导体 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-9-26 22:59:00 |
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DXT5551P5规格书详情
应用 Application
Telecom line driver
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\t\t\t\tProduct Specifications
简介
DXT5551P5属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的DXT5551P5晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 制造商编号
:DXT5551P5
- 生产厂家
:Diodes
- Compliance (Only Automotive supports PPAP)
:DXT5551P5Q
- Product Type
:NPN
- IC (A)
:0.6 A
- ICM (A)
:N/A A
- PD (W)
:2.25 W
- hFE (min)
:80 Min
- hFE(@ IC)
:0.01 A
- hFE(Min 2)
:30
- hFE(@ IC2)
:0.05 A
- VCE (SAT)Max (mV)
:N/A mV
- VCE (SAT) (@ IC/IB) (A/m A)
:1/50
- VCE (SAT) (@ IC/IB2) (A/mA)
:0.05/5
- fT (MHz)
:130
- VCE (SAT)(Max.2)
:N/A mV
- RCE(SAT)
:N/A mΩ
- Packages
:PowerDI5
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
Diodes(美台) |
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PowerDI5 |
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DIODES/美台 |
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