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DXT5551P5中文资料NPN, 160V, 0.6A, PowerDI5数据手册Diodes规格书

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厂商型号

DXT5551P5

参数属性

DXT5551P5 封装/外壳为PowerDI™ 5;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:PWR HI VOLTAGE TRANSISTOR PDI5

功能描述

NPN, 160V, 0.6A, PowerDI5
PWR HI VOLTAGE TRANSISTOR PDI5

封装外壳

PowerDI™ 5

制造商

Diodes Diodes Incorporated

中文名称

美台半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-26 22:59:00

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DXT5551P5规格书详情

应用 Application

Telecom line driver
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\t\t\t\tProduct Specifications

简介

DXT5551P5属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的DXT5551P5晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :DXT5551P5

  • 生产厂家

    :Diodes

  • Compliance (Only Automotive supports PPAP)

    :DXT5551P5Q

  • Product Type

    :NPN

  • IC (A)

    :0.6 A

  • ICM (A)

    :N/A A

  • PD (W)

    :2.25 W

  • hFE (min)

    :80 Min

  • hFE(@ IC)

    :0.01 A

  • hFE(Min 2)

    :30

  • hFE(@ IC2)

    :0.05 A

  • VCE (SAT)Max (mV)

    :N/A mV

  • VCE (SAT) (@ IC/IB) (A/m A)

    :1/50

  • VCE (SAT) (@ IC/IB2) (A/mA)

    :0.05/5

  • fT (MHz)

    :130

  • VCE (SAT)(Max.2)

    :N/A mV

  • RCE(SAT)

    :N/A mΩ

  • Packages

    :PowerDI5

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