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DXT13003EK中文资料NPN, 700V, 1.5A, TO252数据手册Diodes规格书
| 厂商型号 |
DXT13003EK |
| 参数属性 | DXT13003EK 封装/外壳为TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；包装为散装；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS NPN 460V 1.5A TO252-3 |
| 功能描述 | NPN, 700V, 1.5A, TO252 |
| 封装外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| 制造商 | Diodes Diodes Incorporated |
| 中文名称 | 美台半导体 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-26 22:59:00 |
| 人工找货 | DXT13003EK价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
DXT13003EK规格书详情
简介
DXT13003EK属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由制造生产的DXT13003EK晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 制造商编号
：DXT13003EK
- 生产厂家
：Diodes
- Compliance (Only Automotive supports PPAP)
：No
- Product Type
：NPN
- IC (A)
：1.5 A
- ICM (A)
：3 A
- PD (W)
：3.9 W
- hFE (min)
：15 Min
- hFE(@ IC)
：0.3 A
- hFE(Min 2)
：14
- hFE(@ IC2)
：0.5 A
- VCE (SAT)Max (mV)
：300 mV
- VCE (SAT) (@ IC/IB) (A/m A)
：1/100
- VCE (SAT) (@ IC/IB2) (A/mA)
：1/250
- fT (MHz)
：4
- VCE (SAT)(Max.2)
：400 mV
- RCE(SAT)
：N/A mΩ
- Packages
：TO252 (DPAK)
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
DIODES(美台) |
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DIODES |
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SMD |
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DIODES/美台 |
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