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DXT13003DK中文资料NPN, 700V, 1.5A, TO252数据手册Diodes规格书

厂商型号 |
DXT13003DK |
参数属性 | DXT13003DK 封装/外壳为TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 450V 1.5A TO252-3 |
功能描述 | NPN, 700V, 1.5A, TO252 |
封装外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 |
制造商 | Diodes Diodes Incorporated |
中文名称 | 美台半导体 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-9-26 22:59:00 |
人工找货 | DXT13003DK价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货 |
DXT13003DK规格书详情
应用 Application
Low power AC-DC SMPS for:
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\t\tBattery Chargers for Mobile Phone / Tablets / Smartphones
\t
\t\tPower Supply for DVD / STB
\t
\t\tLED lighting
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\t\t\t\tProduct Specifications
简介
DXT13003DK属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的DXT13003DK晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 制造商编号
:DXT13003DK
- 生产厂家
:Diodes
- Compliance (Only Automotive supports PPAP)
:No
- Product Type
:NPN
- IC (A)
:1.5 A
- ICM (A)
:3 A
- PD (W)
:3.9 W
- hFE (min)
:20 Min
- hFE(@ IC)
:0.02 A
- hFE(Min 2)
:16
- hFE(@ IC2)
:0.5 A
- VCE (SAT)Max (mV)
:300 mV
- VCE (SAT) (@ IC/IB) (A/m A)
:1/100
- VCE (SAT) (@ IC/IB2) (A/mA)
:1/250
- fT (MHz)
:4
- VCE (SAT)(Max.2)
:400 mV
- RCE(SAT)
:N/A mΩ
- Packages
:TO252 (DPAK)
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
DIODES/美台 |
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NA/ |
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DIODES |
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DIODES/美台 |
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