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DMN2004TK	文件：190.37 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：190.37 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN2004TK-TP	文件：916.27 Kbytes Page：3 Pages	N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features \| + Vos=20Vb=08A Roscn=250m0 @ Vos=4.5V (YP) Ros = 300mO@ Ves=2.5V (typ) \| * ESD Protection 文件：916.27 Kbytes 页数：3 Pages	TECHPUBLIC 台舟电子	TECHPUBLIC
DMN2004TK_15	文件：190.37 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：190.37 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN2004TK-7	文件：190.37 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：190.37 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN2004TK	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET	Diodes 美台半导体	Diodes

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
On Request*
Polarity：
N
ESD Diodes：
Yes
VDS：
20 V
VGS：
8 ±V
IDS @ TA = +25°C：
0.54 A
PD @ TA = +25°C：
0.15 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
550 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
700 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
900 mΩ
VGS (th) Max：
1 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
N/A nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
N/A nC
Packages：
SOT523

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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