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CSD16322Q5	文件：752.64 Kbytes Page：12 Pages	Marking：CSD16322；Package：VSON-CLIP；N-Channel NexFET™ Power MOSFET 1Features •Optimizedfor5VGateDrive •UltralowQgandQgd •LowThermalResistance •AvalancheRated •PbFreeTerminalPlating •RoHSCompliant •HalogenFree •SON5-mm×6-mmPlasticPackage 2Applications •Point-of-LoadSynchronousBuckinNetworking, TelecomandComputing	TI2Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI2
CSD16322Q5.B	文件：752.64 Kbytes Page：12 Pages	Marking：CSD16322；Package：VSON-CLIP；N-Channel NexFET™ Power MOSFET 1Features •Optimizedfor5VGateDrive •UltralowQgandQgd •LowThermalResistance •AvalancheRated •PbFreeTerminalPlating •RoHSCompliant •HalogenFree •SON5-mm×6-mmPlasticPackage 2Applications •Point-of-LoadSynchronousBuckinNetworking, TelecomandComputing	TI2Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI2

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CSD16322Q5

文件：752.64 Kbytes

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Marking：CSD16322；Package：VSON-CLIP；N-Channel NexFET™ Power MOSFET

1Features •Optimizedfor5VGateDrive •UltralowQgandQgd •LowThermalResistance •AvalancheRated •PbFreeTerminalPlating •RoHSCompliant •HalogenFree •SON5-mm×6-mmPlasticPackage 2Applications •Point-of-LoadSynchronousBuckinNetworking, TelecomandComputing

TI2Texas Instruments

德州仪器美国德州仪器公司

TI2

CSD16322Q5.B

文件：752.64 Kbytes

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Marking：CSD16322；Package：VSON-CLIP；N-Channel NexFET™ Power MOSFET

TI2Texas Instruments

德州仪器美国德州仪器公司

TI2

详细参数

型号：
CSD16322
功能描述：
MOSFET N-Channel NexFET Pwr MOSFETs
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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详细参数

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