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CSD16322Q5	文件：752.64 Kbytes Page：12 Pages	丝印：CSD16322；Package：VSON-CLIP；N-Channel NexFET™ Power MOSFET 1 Features • Optimized for 5 V Gate Drive • Ultralow Qg and Qgd • Low Thermal Resistance • Avalanche Rated • Pb Free Terminal Plating • RoHS Compliant • Halogen Free • SON 5-mm × 6-mm Plastic Package 2 Applications • Point-of-Load Synchronous Buck in Networking, Telecom and Computing 文件：752.64 Kbytes 页数：12 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD16322Q5.B	文件：752.64 Kbytes Page：12 Pages	丝印：CSD16322；Package：VSON-CLIP；N-Channel NexFET™ Power MOSFET 1 Features • Optimized for 5 V Gate Drive • Ultralow Qg and Qgd • Low Thermal Resistance • Avalanche Rated • Pb Free Terminal Plating • RoHS Compliant • Halogen Free • SON 5-mm × 6-mm Plastic Package 2 Applications • Point-of-Load Synchronous Buck in Networking, Telecom and Computing 文件：752.64 Kbytes 页数：12 Pages	TI 德州仪器	TI
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CSD16322Q5.B	文件：752.64 Kbytes Page：12 Pages	丝印：CSD16322；Package：VSON-CLIP；N-Channel NexFET™ Power MOSFET 1 Features • Optimized for 5 V Gate Drive • Ultralow Qg and Qgd • Low Thermal Resistance • Avalanche Rated • Pb Free Terminal Plating • RoHS Compliant • Halogen Free • SON 5-mm × 6-mm Plastic Package 2 Applications • Point-of-Load Synchronous Buck in Networking, Telecom and Computing 文件：752.64 Kbytes 页数：12 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD16322Q5	文件：287.47 Kbytes Page：10 Pages	N-Channel NexFET Power MOSFET 文件：287.47 Kbytes 页数：10 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD16322Q5C	文件：284.66 Kbytes Page：10 Pages	DualCool??N-Channel NexFET??Power MOSFETs 文件：284.66 Kbytes 页数：10 Pages	TI 德州仪器	TI

详细参数

型号：
CSD16322
功能描述：
MOSFET N-Channel NexFET Pwr MOSFETs
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市金嘉锐电子有限公司	CSD16322Q5	TI	2025+	8-SON	32560	原装优势绝对有货	询价
中天科工半导体（深圳）有限公司	CSD16322Q5	TI/德州仪器	25+	QFN	32360	TI/德州仪器全新特价CSD16322Q5即刻询购立享优惠#长期有货	询价
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深圳市汇莱威科技有限公司	CSD16322Q5	TI	24+	VSON-CLIP\|8	684100	免费送样原盒原包现货一手渠道联系	询价
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更多CSD16322供应商更新时间2025-9-21 16:04:00

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