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CSD16323Q3	文件：482.7 Kbytes Page：12 Pages	Marking：CSD16323；Package：VSON-CLIP；CSD16323Q3 N-Channel NexFET™ Power MOSFET 1Features 1•Optimizedfor5-VGateDrive •Ultra-LowQgandQgd •LowThermalResistance •AvalancheRated •Lead-FreeTerminalPlating •RoHSCompliant •HalogenFree •SON3.3-mm×3.3-mmPlasticPackage 2Applications •Point-of-LoadSynchronousBuckConverterfor Applicationsin	TI2Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI2
CSD16323Q3.B	文件：482.7 Kbytes Page：12 Pages	Marking：CSD16323；Package：VSON-CLIP；CSD16323Q3 N-Channel NexFET™ Power MOSFET 1Features 1•Optimizedfor5-VGateDrive •Ultra-LowQgandQgd •LowThermalResistance •AvalancheRated •Lead-FreeTerminalPlating •RoHSCompliant •HalogenFree •SON3.3-mm×3.3-mmPlasticPackage 2Applications •Point-of-LoadSynchronousBuckConverterfor Applicationsin	TI2Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI2

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CSD16323Q3

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Marking：CSD16323；Package：VSON-CLIP；CSD16323Q3 N-Channel NexFET™ Power MOSFET

1Features 1•Optimizedfor5-VGateDrive •Ultra-LowQgandQgd •LowThermalResistance •AvalancheRated •Lead-FreeTerminalPlating •RoHSCompliant •HalogenFree •SON3.3-mm×3.3-mmPlasticPackage 2Applications •Point-of-LoadSynchronousBuckConverterfor Applicationsin

TI2Texas Instruments

德州仪器美国德州仪器公司

TI2

CSD16323Q3.B

文件：482.7 Kbytes

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Marking：CSD16323；Package：VSON-CLIP；CSD16323Q3 N-Channel NexFET™ Power MOSFET

TI2Texas Instruments

德州仪器美国德州仪器公司

TI2

详细参数

型号：
CSD16323
功能描述：
MOSFET N-Ch NexFET Pwr MOSFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多CSD16323供应商更新时间2025-6-22 11:10:00

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