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CSD16323Q3	文件：482.7 Kbytes Page：12 Pages	丝印：CSD16323；Package：VSON-CLIP；CSD16323Q3 N-Channel NexFET™ Power MOSFET 1 Features 1• Optimized for 5-V Gate Drive • Ultra-Low Qg and Qgd • Low Thermal Resistance • Avalanche Rated • Lead-Free Terminal Plating • RoHS Compliant • Halogen Free • SON 3.3-mm × 3.3-mm Plastic Package 2 Applications • Point-of-Load Synchronous Buck Converter for Applications in 文件：482.7 Kbytes 页数：12 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD16323Q3.B	文件：482.7 Kbytes Page：12 Pages	丝印：CSD16323；Package：VSON-CLIP；CSD16323Q3 N-Channel NexFET™ Power MOSFET 1 Features 1• Optimized for 5-V Gate Drive • Ultra-Low Qg and Qgd • Low Thermal Resistance • Avalanche Rated • Lead-Free Terminal Plating • RoHS Compliant • Halogen Free • SON 3.3-mm × 3.3-mm Plastic Package 2 Applications • Point-of-Load Synchronous Buck Converter for Applications in 文件：482.7 Kbytes 页数：12 Pages	TI 德州仪器	TI
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CSD16323Q3.B	文件：482.7 Kbytes Page：12 Pages	丝印：CSD16323；Package：VSON-CLIP；CSD16323Q3 N-Channel NexFET™ Power MOSFET 1 Features 1• Optimized for 5-V Gate Drive • Ultra-Low Qg and Qgd • Low Thermal Resistance • Avalanche Rated • Lead-Free Terminal Plating • RoHS Compliant • Halogen Free • SON 3.3-mm × 3.3-mm Plastic Package 2 Applications • Point-of-Load Synchronous Buck Converter for Applications in 文件：482.7 Kbytes 页数：12 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD16323Q3	文件：392.94 Kbytes Page：12 Pages	N-Channel NexFET??Power MOSFETs 文件：392.94 Kbytes 页数：12 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD16323Q3	文件：1.77564 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel 30 V (D-S) MOSFET 文件：1.77564 Mbytes 页数：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
CSD16323Q3C	文件：387.04 Kbytes Page：10 Pages	N-Channel NexFET??Power MOSFETs 文件：387.04 Kbytes 页数：10 Pages	TI 德州仪器	TI

详细参数

型号：
CSD16323
功能描述：
MOSFET N-Ch NexFET Pwr MOSFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多CSD16323供应商更新时间2025-9-19 15:50:00

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