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CED3055L	文件：591.69 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ■ 60V, 8A, RDS(ON) = 150mΩ @VGS = 10V. RDS(ON) = 180mΩ @VGS = 5V. ■ Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). ■ High power and current handing capability. ■ TO-251 & TO-252 package. 文件：591.69 Kbytes 页数：5 Pages	CET 华瑞	CET
CED3055L3	文件：521.95 Kbytes Page：5 Pages	Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：521.95 Kbytes 页数：5 Pages	CET 华瑞	CET
CED3055L5	文件：508.66 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：508.66 Kbytes 页数：5 Pages	CET 华瑞	CET
CED3055L3	文件：300 bytes Page：1 Pages	Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor	CET 华瑞	CET

详细参数

型号：
CED3055L
制造商：
CET
制造商全称：
Chino-Excel Technology
功能描述：
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

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更多CED3055L供应商更新时间2025-10-12 10:51:00

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