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CEB13N07	文件：100.89 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ■ 70V, 13A, RDS(ON) = 125mΩ @VGS = 10V. RDS(ON) = 150mΩ @VGS = 5V. ■ Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). ■ High power and current handing capability. ■ Lead free product is acquired. ■ TO-220 & TO-263 package. 文件：100.89 Kbytes 页数：4 Pages	CET 华瑞	CET
CED13N07	文件：173.2 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：173.2 Kbytes 页数：4 Pages	CET 华瑞	CET
CEP13N07	文件：100.89 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ■ 70V, 13A, RDS(ON) = 125mΩ @VGS = 10V. RDS(ON) = 150mΩ @VGS = 5V. ■ Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). ■ High power and current handing capability. ■ Lead free product is acquired. ■ TO-220 & TO-263 package. 文件：100.89 Kbytes 页数：4 Pages	CET 华瑞	CET
CEU13N07	文件：173.2 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：173.2 Kbytes 页数：4 Pages	CET 华瑞	CET

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