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CEB13N10	文件：98.58 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ■100V,12.8A,RDS(ON)=180mΩ@VGS=10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-220&TO-263package.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CEB13N10	文件：586.14 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 100V,12.8A,RDS(ON)=180mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CEB13N10	文件：354.05 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CEB13N10L	文件：663.1 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ■100V,12.8A,RDS(ON)=175mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=185mΩ@VGS=5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-220&TO-263package.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CEB13N10L	文件：589.93 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 100V,12.8A,RDS(ON)=175mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. Leadfreeproductisacquired. RDS(ON)=185mW@VGS=5V.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
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CEP13N10L	文件：589.93 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 100V,12.8A,RDS(ON)=175mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. Leadfreeproductisacquired. RDS(ON)=185mW@VGS=5V.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
FQB13N10	文件：333.54 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=12.8A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.18Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCc	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

详细参数

型号：
CEB13N10
制造商：
CET
制造商全称：
Chino-Excel Technology
功能描述：
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司	CEB13N10	SR	23+	T0-263	5000	原装正品,假一罚十	询价
深圳市一线半导体有限公司	CEB13N10	CET	24+		50000		询价
深圳市宇集芯电子有限公司	CEB13N10	CET	24+	TO-263	90000	进口原装现货假一罚十价格合理	询价
深圳市威尔健半导体有限公司	CEB13N10	哈里斯	23+	TO-220	69820	终端可以免费供样,支持BOM配单!	询价
深圳市永贝尔科技有限公司	CEB13N10	CET	23+	原厂原包	19960	只做进口原装终端工厂免费送样	询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	CEB13N10	CET/華瑞	2022+	TO-263	50000	原厂代理终端免费提供样品	询价
易创佳业科技（深圳）有限公司	CEB13N10	C	23+	T0-263	6000	原装正品，支持实单	询价
深圳市创新迹电子有限公司	CEB13N10	CET	23+	TO-263	7300	专注配单,只做原装进口现货	询价
深圳市安富世纪电子有限公司	CEB13N10	CET	23+	TO-263	7300	专注配单,只做原装进口现货	询价
深圳市南科功率半导体有限公司	CEB13N10	NK/南科功率	2025+	TO-263	986966	国产	询价

更多CEB13N10供应商更新时间2025-7-15 15:35:00

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