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CEB3120	文件：949.15 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ●30V,40A,RDS(ON)=15mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=22mΩ@VGS=4.5V. ●SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ●Highpowerandcurrenthandingcapability. ●Leadfreeproductisacquired. ●TO-220&TO-263package.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CEB3120	文件：434.85 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CED3120	文件：893.88 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■30V,36A,RDS(ON)=15mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=22mΩ@VGS=4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-251&TO-252package.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CED3120	文件：628.66 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 30V,36A,RDS(ON)=15mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RDS(ON)=22mW@VGS=4.5V. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CEM3120	文件：864.99 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■30V,10A,RDS(ON)=15mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=22mΩ@VGS=4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■SurfacemountPackage.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CEM3120	文件：879.43 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
CEP3120	文件：949.15 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ●30V,40A,RDS(ON)=15mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=22mΩ@VGS=4.5V. ●SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ●Highpowerandcurrenthandingcapability. ●Leadfreeproductisacquired. ●TO-220&TO-263package.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CEU3120	文件：893.88 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■30V,36A,RDS(ON)=15mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=22mΩ@VGS=4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-251&TO-252package.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CEU3120	文件：415.04 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CEU3120	文件：628.66 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 30V,36A,RDS(ON)=15mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RDS(ON)=22mW@VGS=4.5V. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS

详细参数

型号：
CEB3120
制造商：
CET
制造商全称：
Chino-Excel Technology
功能描述：
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司	CEB3120	SR	23+	T0-263	5000	原装正品,假一罚十	询价
深圳市科恒伟业电子有限公司	CEB3120	CET	1822+	TO-263	9852	只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!!	询价
深圳市赛芯源科技有限公司	CEB3120	CET	18+	TO-263	41200	原装正品,现货特价	询价
深圳市英卓尔科技有限公司	CEB3120	CET	20+	TO-263	368	样品可出,原装现货	询价
深圳市永贝尔科技有限公司	CEB3120	CET	23+	原厂原包	19960	只做进口原装终端工厂免费送样	询价
深圳市威尔健半导体有限公司	CEB3120	CET/華瑞	23+	TO-263	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	CEB3120	CET/華瑞	2022+	TO-263	50000	原厂代理终端免费提供样品	询价
深圳市威雅利发展有限公司	CEB3120	VBsemi	21+	TO263	10026	一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力	询价
深圳市得捷芯城科技有限公司	CEB3120	CET/華瑞	24+	NA/	3310	原装现货,当天可交货,原型号开票	询价
深圳市创新迹电子有限公司	CEB3120	CET/華瑞	2022+	TO-263	30000	进口原装现货供应,原装假一罚十	询价

更多CEB3120供应商更新时间2025-5-24 15:36:00

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