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CEN2307A	文件：649.55 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES -30V,-3.2A,RDS(ON)=78mW@VGS=-10V. RDS(ON)=120mW@VGS=-4.5V. HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Ruggedandreliable. SOT-23-Tpackage. Lead-freeplating;RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CEN2307B	文件：485.15 Kbytes Page：5 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES -30V,-3.7A,RDS(ON)=60mW@VGS=-10V. RDS(ON)=82mW@VGS=-4.5V. HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Ruggedandreliable. SOT-23-Tpackage. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CEN2307BB	文件：536.15 Kbytes Page：5 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES -30V,-3.4A,RDS(ON)=70mW@VGS=-10V. RDS(ON)=108mW@VGS=-4.5V. HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Ruggedandreliable. SOT-23-Tpackage. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CES2307	文件：408.44 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■-30V,-3.2A,RDS(ON)=78mΩ@VGS=-10V. RDS(ON)=120mΩ@VGS=-4.5V. ■HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Ruggedandreliable. ■SOT-23package. ■Leadfreeproductisacquired.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CES2307	文件：1.05094 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel30V(D-S)MOSFET FEATURES •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested APPLICATIONS •ForMobileComputing -LoadSwitch -NotebookAdaptorSwitch -DC/DCConverter	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
CES2307A	文件：430.27 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■-30V,-3.2A,RDS(ON)=78mΩ@VGS=-10V. RDS(ON)=120mΩ@VGS=-4.5V. ■HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Ruggedandreliable. ■SOT-23package. ■Lead-freeplating;RoHScompliant.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CES2307A	文件：610.2 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES -30V,-3.2A,RDS(ON)=78mW@VGS=-10V. RDS(ON)=120mW@VGS=-4.5V. HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Ruggedandreliable. SOT-23package. Lead-freeplating;RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CES2307B	文件：500.36 Kbytes Page：5 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES -30V,-3.7A,RDS(ON)=60mW@VGS=-10V. RDS(ON)=82mW@VGS=-4.5V. HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Ruggedandreliable. SOT-23package. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CES2307BB	文件：407.74 Kbytes Page：5 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES -30V,-3.4A,RDS(ON)=70mW@VGS=-10V. RDS(ON)=108mW@VGS=-4.5V. HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Ruggedandreliable. SOT-23package. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CHM2307PT	文件：346.88 Kbytes Page：2 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor VOLTAGE30VoltsCURRENT3.2Ampere FEATURE Smallflatpackage.(SC-59) HighdensitycelldesignforextremelylowRDS(ON). Ruggedandreliable. Highsaturationcurrentcapability. APPLICATION Servomotorcontrol. PowerMOSFETgatedrivers. *Otherswitchingapplications.	CHENMKOCHENMKO ENTERPRISE CO., LTD. 力勤力勤股份有限公司	CHENMKO

详细参数

型号：
CEB2307D
制造商：
Cadeka Microcircuits
功能描述：
Evaluation Platform for the CDK2307 13-Bit ADC

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	CEB-2509-2221H	YOKOWO	23+		16499	原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种	询价
深圳市赛美科科技有限公司	CEB-2509-2221H	YOKOWO		ROHS	13352	一级代理原装正品假一罚十价格优势长期供货	询价
深圳市中福国际管理有限公司	CEB2515	CET/華瑞	23+	TO-263	360000	交期准时服务周到	询价
深圳市南科功率半导体有限公司	CEB2515	NK/南科功率	2025+	TO-263	986966	国产	询价
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深圳市易讯博科技有限公司	CEB-27D44	CUI	22+	NA	10064	加我QQ或微信咨询更多详细信息,	询价
上海金庆电子技术有限公司	CEB2X6V-104Z22	BURNDYELECTRONICS	新		1685	全新原装货期两周	询价
齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司	CEB3060	SR	23+	T0-263	5000	原装正品,假一罚十	询价
深圳市鹏和科技有限公司	CEB3060	CET	24+	TO-263	5000	只做原装公司现货	询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	CEB3060	CET	TO-263	22+	6000	十年配单,只做原装	询价

更多CEB2307D供应商更新时间2025-5-26 11:10:00

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