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BS870-7-F

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

Features • Low On-Resistance • Low Gate Threshold Voltage • Low Input Capacitance • Fast Switching Speed • Low Input/Output Leakage • Lead Free/RoHS Compliant (Note 2)

文件:426.37 Kbytes 页数:4 Pages

DIODES

美台半导体

BS870-7-F

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

文件:139.83 Kbytes 页数:3 Pages

DIODES

美台半导体

BSB012NE2LXI

MG-WDSON

INFINEON

英飞凌

上传:深圳市远进半导体有限公司

BSB012NE2LXI

MG-WDSON-2

INFINEON/英飞凌

上传:深圳诚思涵科技有限公司

INFINEON/英飞凌

BSB104N08NP3G

TDSON8

INFINEON

英飞凌

上传:千层芯半导体(深圳)有限公司

详细参数

  • 型号:

    BS870-7

  • 功能描述:

    MOSFET 60V 310mW

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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