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BSC010NE2LS	文件：760.86 Kbytes Page：10 Pages	OptiMOSTM Power-MOSFET Features •OptimizedforhighperformanceBuckconverter •Verylowon-resistanceRDS(on)@VGS=4.5V •100avalanchetested •Superiorthermalresistance •N-channel •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplications •Pb-freeleadplating;RoHScompliant •Halogen-freeaccording	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
BSC010NE2LS	文件：381.48 Kbytes Page：3 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor DESCRIPTION ·DrainCurrent–ID=100A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=80V(Min) APPLICATIONS ·SynchronousRectificationinSMPS ·Switchingconverters,motordriver,relaydriver ·PowerTools ·UPS ·MotorControl	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
BSC010NE2LS	文件：1.53756 Mbytes Page：12 Pages	n-Channel Power MOSFET	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
BSC010NE2LS_13	文件：760.86 Kbytes Page：10 Pages	OptiMOSTM Power-MOSFET Features •OptimizedforhighperformanceBuckconverter •Verylowon-resistanceRDS(on)@VGS=4.5V •100avalanchetested •Superiorthermalresistance •N-channel •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplications •Pb-freeleadplating;RoHScompliant •Halogen-freeaccording	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
BSC010NE2LSI	文件：33.42 Kbytes Page：1 Pages	Material Content Data Sheet	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
BSC010NE2LSI	文件：1.61674 Mbytes Page：12 Pages	n-Channel Power MOSFET	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
BSC010NE2LSI	文件：1.40649 Mbytes Page：12 Pages	OptiMOSTM Power-MOSFET, 25 V	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
BSC010NE2LSI_15	文件：33.42 Kbytes Page：1 Pages	Material Content Data Sheet	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
BSC010NE2LSI_16	文件：1.40649 Mbytes Page：12 Pages	OptiMOSTM Power-MOSFET, 25 V	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
010NE2LS	文件：760.86 Kbytes Page：10 Pages	OptiMOSTMPower-MOSFET Features •OptimizedforhighperformanceBuckconverter •Verylowon-resistanceRDS(on)@VGS=4.5V •100avalanchetested •Superiorthermalresistance •N-channel •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplications •Pb-freeleadplating;RoHScompliant •Halogen-freeaccording	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司

详细参数

型号：
BSC010NE2LS
功能描述：
MOSFET N-Channel 25V MOSFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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