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BSC010NE2LSI	文件：33.42 Kbytes Page：1 Pages	Material Content Data Sheet 文件：33.42 Kbytes 页数：1 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
BSC010NE2LSI	文件：1.61674 Mbytes Page：12 Pages	n-Channel Power MOSFET 文件：1.61674 Mbytes 页数：12 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
BSC010NE2LSI	文件：1.40649 Mbytes Page：12 Pages	OptiMOSTM Power-MOSFET, 25 V 文件：1.40649 Mbytes 页数：12 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
BSC010NE2LSI_15	文件：33.42 Kbytes Page：1 Pages	Material Content Data Sheet 文件：33.42 Kbytes 页数：1 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
BSC010NE2LSI_16	文件：1.40649 Mbytes Page：12 Pages	OptiMOSTM Power-MOSFET, 25 V 文件：1.40649 Mbytes 页数：12 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
BSC010NE2LSI	文件：300 bytes Page：1 Pages	20V-300V N-Channel Power MOSFET With the OptiMOS™ 25V product family, Infineon sets new standards in power density and energy efficiency for discrete power MOSFETs and system in package. Ultra low gate and output charge, together with lowest on-state resistance in small footprint packages, make OptiMOS™ 25V the best choice for the \n优势:\n• Save overall system costs by reducing the number of phases in multiphase converters\n• Reduce power losses and increase efficiency for all load conditions\n• Save space with smallest packages like CanPAK™, S3O8 or system in package solution\n• Minimize EMI in the system making external snub;	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

OPN：
BSC010NE2LSIATMA1
Qualification：
Non-Automotive
Package name：
PG-TDSON-8
VDS max：
25 V
RDS (on) @10V max：
1.05 mΩ
RDS (on) @4.5V max：
1.4 mΩ
ID @25°C max：
100 A
QG typ @10V：
59 nC
QG typ @4.5V：
29 nC
Special Features：
Monolithically Integrated Schottky-like Diode
Polarity：
N
Operating Temperature min：
-55 °C
Operating Temperature max：
150 °C
VGS(th) min：
1.2 V
VGS(th) max：
2 V
Technology：
OptiMOS™

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