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BSC032NE2LS	文件：1.55266 Mbytes Page：12 Pages	n-Channel Power MOSFET 文件：1.55266 Mbytes 页数：12 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
BSC032NE2LS	文件：761.34 Kbytes Page：10 Pages	OptiMOSTM Power-MOSFET 文件：761.34 Kbytes 页数：10 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
BSC032NE2LS_13	文件：761.34 Kbytes Page：10 Pages	OptiMOSTM Power-MOSFET 文件：761.34 Kbytes 页数：10 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
BSC032NE2LS	文件：300 bytes Page：1 Pages	N 沟道功率 MOSFET With the OptiMOS™ 25V product family, Infineon sets new standards in power density and energy efficiency for discrete power MOSFETs and system in package. Ultra low gate and output charge, together with lowest on-state resistance in small footprint packages, make OptiMOS™ 25V the best choice for the \n优势:\n• Save overall system costs by reducing the number of phases in multiphase converters\n• Reduce power losses and increase efficiency for all load conditions\n• Save space with smallest packages like CanPAK™, S3O8 or system in package solution\n• Minimize EMI in the system making external snub;	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

OPN：
BSC032NE2LSATMA1
Qualification：
Non-Automotive
Package name：
PG-TDSON-8
VDS max：
25 V
RDS (on) @10V max：
3.2 mΩ
RDS (on) @4.5V max：
4.8 mΩ
ID @25°C max：
84 A
QG typ @10V：
16 nC
QG typ @4.5V：
7.7 nC
Polarity：
N
Operating Temperature min：
-55 °C
Operating Temperature max：
150 °C
VGS(th) min：
1.2 V
VGS(th) max：
2 V
Technology：
OptiMOS™

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