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BSC028N06NS

New OptiMOS??40V and 60V

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

BSC028N06NSSC

Marking:028N06SC;Package:PG-WSON-8;OptiMOSTM Power-Transistor, 60 V

Features •Dual-sidecooledpackagewithlowestJunction-topthermalresistance •175°Crated •OptimizedforhighperformanceSMPS,e.g.sync.rec. •100avalanchetested •Superiorthermalresistance •N-channel •Pb-freeleadplating;RoHScompliant •Halogen-freeaccordingtoIEC61249-

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

BSC028N06NSATMA1

OptiMOS??Power-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

BSC028N06NST

Marking:028N06NS;Package:PG-TDSON-8;OptiMOSTM Power-Transistor, 60 V

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

028N06LS

OptiMOS3Power-Transistor

Features •Idealforhighfrequencyswitchingandsync.rec. •OptimizedtechnologyforDC/DCconverters •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Verylowon-resistanceRDS(on) •Superiorthermalresistance •N-channel,logiclevel •100avalanchetested •Pb-freeplating;RoHSc

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

BSC028N06LSG

OptiMOSTM3Power-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

详细参数

  • 型号:

    BSC028N06NS

  • 功能描述:

    MOSFET 60V SuperS08

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
INFINEON/英飞凌
21+
TSDSON8
20000
全新原装 公司现货 价优
询价
INFINEON
19+
TDSON-8
5000
原装正品
询价
INFINEON
20+
TDSON8
26000
实单请给接受价
询价
INFINEON
2048
TDSON-8
5000
全新原装、公司现货
询价
HOLTEK
22+
sot
6600
正品渠道现货,终端可提供BOM表配单。
询价
英飞凌
1932+
N/A
5000
只做原装
询价
INFINEON
23+
DTSON8
5000
英飞凌汽车电子优势
询价
INFINEON
24+
TDSON-8
2500
进口原装现货/假一赔十
询价
INFINEON/英飞凌
2021+
DFN-85X6
17464
原装进口假一罚十
询价
INFINEON
20+
PG-TDSON-8
50000
询价
更多BSC028N06NS供应商 更新时间2025-2-11 9:30:00