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BSC028N06LS3G	文件：336.29 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS3 Power-Transistor Features •Idealforhighfrequencyswitchingandsync.rec. •OptimizedtechnologyforDC/DCconverters •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Verylowon-resistanceRDS(on) •Superiorthermalresistance •N-channel,logiclevel •100avalanchetested •Pb-freeplating;RoHSc	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
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BSC028N06LS3G

文件：336.29 Kbytes

Page：9 Pages

OptiMOS3 Power-Transistor

Features •Idealforhighfrequencyswitchingandsync.rec. •OptimizedtechnologyforDC/DCconverters •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Verylowon-resistanceRDS(on) •Superiorthermalresistance •N-channel,logiclevel •100avalanchetested •Pb-freeplating;RoHSc

InfineonInfineon Technologies AG

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BSC028N06LS3

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OptiMOS3Power-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

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详细参数

型号：
BSC028N06LS3G
制造商：
Infineon Technologies AG
功能描述：
MOSFET N-Channel 60V 23A OptiMOS3 TDSON8

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