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BSC028N06NSATMA1

OptiMOS??Power-Transistor

文件:421.68 Kbytes 页数:10 Pages

INFINEON

英飞凌

BSC030N03LSGATMA1

TDSON8

BSC030N03LSGATMA1

TDSON8

BSC030N08NS5

TDSON8

INFINEON

英飞凌

上传:深圳市威尔健半导体有限公司

BSC030N08NS5

TDSON-8

INFINEON/英飞凌

上传:深圳市赛特兴科技有限公司

INFINEON/英飞凌

详细参数

  • 型号:

    BSC028N06NSATMA1

  • 功能描述:

    MOSFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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更多BSC028N06NSATMA1供应商 更新时间2026-2-4 16:26:00