选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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Infineon(英飞凌)TDSON8 |
12048 |
23+ |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
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深圳市金芯世纪电子有限公司1年
留言
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100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
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深圳市品优时代科技有限公司5年
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INFINEONTDSON-8 |
19700 |
2019 |
INFINEON品牌专业原装优质 |
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深圳市英博尔电子有限公司4年
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INFINEONTDSON8 |
16500 |
2年内 |
英博尔原装优质现货订货渠道商 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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Infineon(英飞凌)TDSON8 |
16316 |
23+ |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司2年
留言
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INFINEON/英飞凌TDSON-8 |
9850 |
22+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市恒达亿科技有限公司10年
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INFINEONTDSON8 |
6000 |
23+ |
全新原装现货、诚信经营! |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
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INFINEON/英飞凌TDSON-8 |
5412 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市赛特兴科技有限公司3年
留言
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INFINEONTISON-8 |
30000 |
22+ |
正规渠道,只有原装! |
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深圳市中联芯电子有限公司9年
留言
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INFINEONPG-TDSON-8 |
20000 |
24+ |
只做原装 有挂有货 假一赔十 |
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东莞市万芯半导体有限公司1年
留言
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100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
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深圳市勤思达科技有限公司11年
留言
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INFINEON/英飞凌TDSON-8 |
10913 |
2024 |
原装现货,欢迎咨询 |
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深圳市华康联电子科技有限公司12年
留言
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INFINEONTDSON8 |
20000 |
23+ |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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INFINEON/英飞凌QFN8 |
3455 |
2022+ |
原厂授权代理 价格绝对优势 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司14年
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INFINEONSON8 |
53500 |
2023+ |
正品,原装现货 |
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深圳市凌旭科技有限公司12年
留言
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INFINEONTDSON-8 |
5000 |
21+ |
十年信誉,只做原装,有挂就有现货! |
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深圳市芯巴巴科技有限公司2年
留言
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INFINEON?PG-TDSON-8 |
10000 |
22+ |
只做原装现货 假一赔万 |
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深圳市英科美电子有限公司9年
留言
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INFINEON/英飞凌TDSON-8 |
18135 |
2021+ |
原装进口假一罚十 |
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深圳市吉中创电子科技有限公司5年
留言
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IR/INFINEONPG-TDSON-8 |
5000 |
23+ |
公司现货原装 |
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深圳市亚泰盈科电子有限公司11年
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INFINEOTDSON-8 |
25689 |
原装 原装 原装 只做原装现货 |
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BSC0901NS价格
BSC0901NS价格:¥3.0925品牌:Infineon
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BSC0901NS资讯
BSC0901NSIATMA1
BSC0901NSIATMA1是一款性能优异、高可靠性的N沟道MOSFET晶体管,适用于各种高功率应用场合,如电源管理、电机驱动、照明控制等。
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更多BSC0901NS功能描述:MOSFET N-CH 30V 100A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
BSC0901NSATMA1制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 100A 8-Pin TDSON EP 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:N-KANAL POWER MOS - Tape and Reel 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-CH 30V 100A 8TDSON
BSC0901NSI功能描述:MOSFET N-CH 30V 28A 8TDSON RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:OptiMOS™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
BSC0901NSIATMA1制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin TDSON EP 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:N-KANAL POWER MOS - Tape and Reel 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-CH 30V 28A 8TDSON
BSC0901NSIXT功能描述:MOSFET OptiMOS Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube