BSC0901NSIATMA1是英飞凌半导体公司推出的一款N沟道MOSFET晶体管，具有以下主要特性：
1. 低导通电阻：BSC0901NSIATMA1的导通电阻很低，能够提供较小的功耗和高效的电路性能。
2. 高电流承受能力：该MOSFET晶体管能够承受高达100A的电流，适用于各种高功率应用。
3. 高电压承受能力：BSC0901NSIATMA1的漏源电压承受能力高达60V，能够保证电路的稳定性和可靠性。
4. 快速开关速度：该晶体管具有快速的开关速度，能够提供高效的开关性能和响应速度。
5. 低开关损耗：BSC0901NSIATMA1的开关损耗很低，能够提供较小的功耗和高效的电路性能。
6. RoHS兼容性：该产品符合RoHS指令，不含有害物质，对环境友好。
BSC0901NSIATMA1是一款性能优异、高可靠性的N沟道MOSFET晶体管，适用于各种高功率应用场合，如电源管理、电机驱动、照明控制等。
制造商
Infineon Technologies
制造商产品编号
BSC0901NSIATMA1
描述
MOSFET N-CH 30V 28A/100A TDSON
详细描述
表面贴装型 N 通道 30 V 28A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），69W（Tc） PG-TDSON-8-6
选择
类别
分立半导体产品
晶体管
FET，MOSFET
单 FET，MOSFET
制造商
Infineon Technologies
系列
OptiMOS™
包装
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
28A（Ta），100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2 毫欧 @ 30A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
20 nC @ 15 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
2600 pF @ 15 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2.5W（Ta），69W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-TDSON-8-6
封装/外壳
8-PowerTDFN
基本产品编号
BSC0901
