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BSC052N03LS	文件：300 bytes Page：1 Pages	20V-300V N-Channel Power MOSFET; • 极低的栅极和输出电荷\n• 极低的导通状态电阻，小体积封装\n• 设计导入容易\n\n优势:\n• 延长电池寿命\n• 改进 EMI 表现，无需外部缓冲器网络\n• 节省成本\n• 节约空间 \n• 减少功率损耗\n; 极低的栅极和输出电荷，结合极低的导通状态电阻和小体积封装，使 OptiMOS™ 25V 成为要求较高的服务器、数据通信和通信电压调节器解决方案的最佳选择。OptiMOS™ 30V 产品专为满足笔记本电脑的电源管理需求而量身定制，可改善电磁干扰行为，以及延长电池寿命。可用于半桥配置（功率级 5x6）\n	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BSC052N03LS	文件：1.53138 Mbytes Page：12 Pages	n-Channel Power MOSFET Features •OptimizedforhighperformanceBuckconverter •Verylowon-resistanceRDS(on)@VGS=4.5V •100avalanchetested •Superiorthermalresistance •N-channel •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplications •Pb-freeleadplating;RoHScompliant •Halogen-freeaccordingto	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BSC052N03LS	文件：761.29 Kbytes Page：10 Pages	OptiMOSTM Power-MOSFET	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BSC052N03LS_13	文件：761.29 Kbytes Page：10 Pages	OptiMOSTM Power-MOSFET	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BSC052N03LS	文件：0 bytes Page：0 Pages	Infineon/英飞凌 TDSON-8	Infineon/英飞凌相关企业：深圳市中联芯电子有限公司	Infineon/英飞凌

技术参数

OPN：
BSC052N03LSATMA1
Qualification：
Non-Automotive
Package name：
PG-TDSON-8
VDS max：
30 V
RDS (on) @10V max：
5.2 mΩ
RDS (on) @4.5V max：
7.2 mΩ
ID @25°C max：
57 A
QG typ @10V：
12 nC
QG typ @4.5V：
5.9 nC
Polarity：
N
Operating Temperature min：
-55 °C
Operating Temperature max：
150 °C
VGS(th) min：
1.2 V
VGS(th) max：
2 V
Technology：
OptiMOS™

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