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BS870-7-F中文资料美台半导体数据手册PDF规格书

BS870-7-F
厂商型号

BS870-7-F

功能描述

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

文件大小

426.37 Kbytes

页面数量

4

生产厂商 Diodes Incorporated
企业简称

DIODES美台半导体

中文名称

美台半导体官网

原厂标识
DIODES
数据手册

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更新时间

2025-8-4 9:48:00

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BS870-7-F规格书详情

特性 Features

• Low On-Resistance

• Low Gate Threshold Voltage

• Low Input Capacitance

• Fast Switching Speed

• Low Input/Output Leakage

• Lead Free/RoHS Compliant (Note 2)

产品属性

  • 型号:

    BS870-7-F

  • 功能描述:

    MOSFET 60V 310mW

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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