| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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Infineon(英飞凌)N/A |
12000 |
23+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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INFINEONN/A |
70000 |
2025+ |
柒号只做原装 现货价秒杀全网 |
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12年
留言
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INFINEONQFN |
18600 |
25+ |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
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7年
留言
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Infineon(英飞凌)TDSON-8-EP(5x6) |
22412 |
25+ |
原装正品现货,原厂订货,可支持含税原型号开票。 |
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7年
留言
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Infineon(英飞凌)TDSON-8-EP(5x6) |
22412 |
25+ |
原装正品现货,原厂订货,可支持含税原型号开票。 |
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12年
留言
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INFINEON/英飞凌QFN8 |
12500 |
25+ |
全新原装现货,假一赔十 |
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7年
留言
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Infineon(英飞凌)TDSON-8-EP(5x6) |
22412 |
25+ |
原装正品现货,原厂订货,可支持含税原型号开票。 |
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14年
留言
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INFINEON原装正品专卖TDSON-8 |
16197 |
26+ |
全新原装正品,价格优势,长期供应,量大可订 |
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5年
留言
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INFINEON/英飞凌QFN8 |
3743 |
1834+ |
原装正品 可含税交易 |
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5年
留言
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英飞凌TDSON-8-EP(5x6) |
5000 |
24+ |
全新、原装 |
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Infineon(英飞凌)N/A |
12000 |
23+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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7年
留言
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INFINEON/英飞凌DFN-85X6 |
18500 |
25+ |
全新原装正品支持含税 |
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7年
留言
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Infineon(英飞凌)TDSON-8-EP(5x6) |
18798 |
25+ |
原装正品现货,原厂订货,可支持含税原型号开票。 |
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7年
留言
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Infineon(英飞凌)TDSON-8-EP(5x6) |
18798 |
25+ |
原装正品现货,原厂订货,可支持含税原型号开票。 |
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12年
留言
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INFINEON/英飞凌QFN |
25000 |
25+ |
代理原装现货,假一赔十 |
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7年
留言
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Infineon(英飞凌)TDSON-8-EP(5x6) |
18798 |
25+ |
原装正品现货,原厂订货,可支持含税原型号开票。 |
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14年
留言
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INFINEON原装正品专卖TDSON-8 |
16198 |
26+ |
全新原装正品,价格优势,长期供应,量大可订 |
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4年
留言
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Infineon(英飞凌) |
25650 |
23+ |
新到现货,只做原装进口 |
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5年
留言
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INFINEON/英飞凌PQFN5X6 |
120000 |
20+ |
原装正品 可含税交易 |
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5年
留言
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英飞凌TDSON-8-EP(5x6) |
5000 |
24+ |
全新、原装 |
BSC018NE2LS采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
BSC018NE2LS图片
BSC018NE2LSIXT价格
BSC018NE2LSIXT价格:¥4.5551品牌:Infineon
生产厂家品牌为Infineon的BSC018NE2LSIXT多少钱,想知道BSC018NE2LSIXT价格是多少?参考价:¥4.5551。这里提供2026年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,BSC018NE2LSIXT批发价格及采购报价,BSC018NE2LSIXT销售排行榜及行情走势,BSC018NE2LSIXT报价。
BSC018NE2LSIATMA1中文资料Alldatasheet PDF
更多BSC018NE2LS功能描述:MOSFET N-Channel 25V MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
BSC018NE2LSATMA1制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 25V 29A 8-Pin TDSON EP 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:N-KANAL POWER MOS - Tape and Reel 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-CH 25V 100A TDSON-8
BSC018NE2LSI功能描述:MOSFET N-CH 25V 29A TDSON-8 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:OptiMOS™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
BSC018NE2LSIATMA1制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 25V 29A 8-Pin TDSON EP 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:N-KANAL POWER MOS - Tape and Reel 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-CH 25V 29A TDSON-8
BSC018NE2LSIXT功能描述:MOSFET OptiMOS Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube



























