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详细参数

  • 型号:

    BSC018NE2LSIXT

  • 功能描述:

    MOSFET OptiMOS Power MOSFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
INFINEON
23+
DTSON8
5000
英飞凌汽车电子优势
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Infineon Technologies
23+
原装
8000
只做原装现货
询价
Infineon Technologies
23+
原装
7000
询价
INFINEON/英飞凌
23+
TDSON8
50000
全新原装正品现货,支持订货
询价
INFINEON/英飞凌
24+
TDSON-8
60000
全新原装现货
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INFINEON
25+
QFN8
30000
代理全新原装现货,价格优势
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INFINEON/英飞凌
24+
NA/
248
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
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Infineon(英飞凌)
21+
QFN8
248
原装现货,假一罚十
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INFINEON
22+
QFN8
20000
公司只有原装 品质保证
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INFINEON/英飞凌
新年份
DFN56
67430
一级代理原装正品现货,支持实单!
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更多BSC018NE2LSIXT供应商 更新时间2025-12-22 14:09:00