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BLV193 | UHF power transistor DESCRIPTION NPN silicon planar epitaxial transistor intended for common emitter class-A and class-AB operation in the 900 MHz communications band. The transistor has a SOT171 flange envelope with a ceramic cap. All leads are isolated from the mounting base. FEATURES • Emitter ballasting resist 文件：108.63 Kbytes 页数：14 Pages | PHI PHI | PHI | |
BLV193 | UHF power transistor | 恩XP | 恩XP | |
Low Power Low Offset Voltage Dual Comparators 文件：322.34 Kbytes 页数：15 Pages | NSC 国半 | NSC | ||
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更新时间2026-10-7 16:30:00
