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BLV57	文件：152.26 Kbytes Page：24 Pages	UHF linear push-pull power transistor DESCRIPTION Two n-p-n silicon planar epitaxial transistor sections in one package to be used as push-pull amplifier, primarily intended for use in linear u.h.f. television transmitters and transposers. The package is an 8-lead flange type with a ceramic cap. All leads are isolated from the f 文件：152.26 Kbytes 页数：24 Pages	PHI PHI	PHI
BLV57	文件：18.91 Kbytes Page：1 Pages	NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR DESCRIPTION: The ASI BLV57 is Designed for use as push-pull amplifier, primarily in linear UHF TV transmitting Applications. FEATURES: • Input Matching Network • Common emitter • Omnigold™ Metalization System with eutectic die bonding 文件：18.91 Kbytes 页数：1 Pages	ASI	ASI
BLV57	文件：82.92 Kbytes Page：1 Pages	NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR DESCRIPTION: The ASI BLV57 is Designed for use as push-pull amplifier, primarily in linear UHF TV transmitting Applications. FEATURES: • Input Matching Network • Common emitter • Omnigold™ Metalization System with eutectic die bonding 文件：82.92 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
BLV57	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans GP BJT NPN 27V 2A 8-Pin CDFM Bulk	NJS 新泽西半导体	NJS

晶体管资料

型号：
BLV57
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
差分放大器射极输出（Dual）_超高频/特高频（UHF）
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
50V
最大电流允许值：
2A
最大工作频率：
860MHZ
引脚数：
6
可代换的型号：
最大耗散功率：
6W
放大倍数：
图片代号：
G-244
vtest：
50
htest：
860000000
atest：
2
wtest：
6.0001

技术参数

Number of Elements per Chip：
1
Minimum Operating Temperature：
-65°C
Minimum DC Current Gain：
15@0.85A@25V
Maximum Transition Frequency：
2500(Typ)MHz
Maximum Operating Temperature：
200°C
Maximum Emitter Base Voltage：
3.5V
Maximum DC Collector Current：
2A
Maximum Collector Emitter Voltage：
27V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage：
0.75(Typ)@0.17A@1.7AV
Material：
Si
Configuration：
Single

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