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BLV30	文件：13.98 Kbytes Page：1 Pages	NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR DESCRIPTION: The ASI BLV30 is Designed for Television Band IV & V Applications up to 860 MHz. FEATURES: • Common Emitter • PG = 10 dB at 2.0 W/860 MHz • Omnigold™ Metalization System 文件：13.98 Kbytes 页数：1 Pages	ASI	ASI
BLV30	文件：50.05 Kbytes Page：1 Pages	NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR DESCRIPTION: BLV30 is Designed for Television Band IV & V Applications up to 860Mhz FEATURES Common Emitter PG = 10dBat 2.0W/860Mhz Omnigold Metalization System 文件：50.05 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
BLV30	文件：37.91 Kbytes Page：1 Pages	NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR 文件：37.91 Kbytes 页数：1 Pages	ASI	ASI
BLV30_06	文件：37.91 Kbytes Page：1 Pages	NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR 文件：37.91 Kbytes 页数：1 Pages	ASI	ASI
BLV30	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans GP BJT NPN 33V 12.5A 4-Pin SOT-147	NJS	NJS

晶体管资料

型号：
BLV30
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
甚高频（VHF）_TR_输出极（E）
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
60V
最大电流允许值：
1.5A
最大工作频率：
224MHZ
引脚数：
4
可代换的型号：
最大耗散功率：
1.5W
放大倍数：
图片代号：
G-56
vtest：
60
htest：
224000000
atest：
1.5
wtest：
1.5

技术参数

Output Power：
26.5(Typ)W
Number of Elements per Chip：
1
Minimum Operating Temperature：
-65°C
Minimum DC Current Gain：
100(Max)
Maximum Transition Frequency：
750(Typ)MHz
Maximum Operating Temperature：
200°C
Maximum Emitter Base Voltage：
4V
Maximum DC Collector Current：
12.5A
Maximum Collector Emitter Voltage：
33V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage：
15@3A@25AV
Maximum Base Emitter Saturation Voltage：
0.75(Typ)@0.6A@6AV
Material：
Si
Configuration：
Single Dual Emitter

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