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BLV30

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

DESCRIPTION: TheASIBLV30isDesignedforTelevisionBandIV&VApplicationsupto860MHz. FEATURES: •CommonEmitter •PG=10dBat2.0W/860MHz •Omnigold™MetalizationSystem

ASI

Advanced Semiconductor, Inc

ASI

BLV30

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

DESCRIPTION: BLV30isDesignedforTelevisionBandIV&VApplicationsupto860Mhz FEATURES CommonEmitter PG=10dBat2.0W/860Mhz OmnigoldMetalizationSystem

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司

NJSEMI

BLV30

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

ASI

Advanced Semiconductor, Inc

ASI

BLV30_06

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

ASI

Advanced Semiconductor, Inc

ASI

晶体管资料

  • 型号:

    BLV30

  • 别名:

    三极管、晶体管、晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性质:

    甚高频 (VHF)_TR_输出极 (E)

  • 封装形式:

    贴片封装

  • 极限工作电压:

    60V

  • 最大电流允许值:

    1.5A

  • 最大工作频率:

    224MHZ

  • 引脚数:

    4

  • 可代换的型号:

  • 最大耗散功率:

    1.5W

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    G-56

  • vtest:

    60

  • htest:

    224000000

  • atest:

    1.5

  • wtest:

    1.5

详细参数

  • 型号:

    BLV30

  • 制造商:

    ASI

  • 制造商全称:

    ASI

  • 功能描述:

    NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
PHILIPS/飞利浦
23+
1688
房间现货库存:QQ:373621633
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高频管全新原装主营-可开原型号增税票
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更多BLV30供应商 更新时间2024-4-27 10:30:00