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BLV33F	文件：148.71 Kbytes Page：20 Pages	VHF linear power transistor DESCRIPTION NPN silicon planar epitaxial transistor encapsulated in a 1⁄2” 6 lead SOT119A capstan package with ceramic cap. All leads are isolated from the flange. FEATURES • Internally matched input for wideband operation and high power gain • Diffused emitter ballasting resistors for an 文件：148.71 Kbytes 页数：20 Pages	PHI PHI	PHI
BLV33F	文件：23.68 Kbytes Page：1 Pages	NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR DESCRIPTION: The ASI BLV33F is Designed for Operation in Band III TV Transposers and Transmitter Amplifiers from 170 to 230 MHz. FEATURES: • Gold Metalization • Internal Input Matching • Omnigold™ Metalization System 文件：23.68 Kbytes 页数：1 Pages	ASI	ASI
BLV33F	文件：82.17 Kbytes Page：1 Pages	NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR DESCRIPTION: BLV33F is Designed for Operation in Band II! TV Transposers and Transmitter Amplifiers from 170 to 230MHz. FEATURES: • Gold Metalization • Internal Input Matching • Omnigold™ Metalization System 文件：82.17 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
BLV33F	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans GP BJT NPN 33V 12.5A 6-Pin CDFM	NJS 新泽西半导体	NJS

晶体管资料

型号：
BLV33F
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
甚高频（VHF）_功率放大（L）
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
65V
最大电流允许值：
12.5A
最大工作频率：
224MHZ
引脚数：
6
可代换的型号：
最大耗散功率：
16W
放大倍数：
图片代号：
G-256
vtest：
65
htest：
224000000
atest：
12.5
wtest：
16.0001

技术参数

Output Power：
22(Typ)W
Number of Elements per Chip：
1
Minimum Operating Temperature：
-65°C
Minimum DC Current Gain：
15@3A@25V
Maximum Transition Frequency：
750(Typ)MHz
Maximum Operating Temperature：
200°C
Maximum Emitter Base Voltage：
4V
Maximum DC Collector Current：
12.5A
Maximum Collector Emitter Voltage：
33V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage：
0.75(Typ)@0.6A@6AV
Material：
Si
Configuration：
Single Quad Emitter

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