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BLV859	文件：126.05 Kbytes Page：16 Pages	UHF linear push-pull power transistor DESCRIPTION NPNsiliconplanartransistorwithtwosectionsinpush-pullconfiguration.ThedeviceisencapsulatedinaSOT262B4-leadrectangularflangepackage,withtwoceramiccaps.ItdeliversaPosync=20Winclass-Aoperationat860MHzandasupplyvoltageof25V. FEATURES •	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦
BLV859	文件：18.79 Kbytes Page：1 Pages	NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR DESCRIPTION: TheASIBLV859isDesignedforTelevisionBandIV&VApplicationsupto860MHz. FEATURES: •CommonEmitter •PG=10dBat150W/860MHz •Omnigold™MetalizationSystem	ASI Advanced Semiconductor, Inc
BLV859	文件：95.38 Kbytes Page：3 Pages	UHF linear push-pull power transistor DESCRIPTION NPNsiliconplanartransistorwithtwosectionsinpush-pullconfiguration.ThedeviceisencapsulatedinaSOT262B4-leadrectangularflangepackage,withtwoceramiccapsItdeliversaPosync=20Winclass-Aoperationat860MHzandasupplyvoltageof25V. FEATURES •Doublei	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司
859	文件：110.74 Kbytes Page：2 Pages	1.3WattsAxialLeadedZenerDiodes VOLTAGERANGE:2.4-200VPOWER:1.3Watts Features ●CompleteVoltageRange2.4to200Volts ●Highpeakreversepowerdissipation ●Highreliability ●Lowleakagecurrent	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司
A-859	文件：126.58 Kbytes Page：2 Pages	Avikrimp??SnapPlug,for18-22AWGWire,Box,24.31mm(.957)Length	MOLEX4Molex Electronics Ltd. 莫仕公司MOLEX莫仕公司
A-859T	文件：126.26 Kbytes Page：2 Pages	Avikrimp??SnapPlug,for18-22AWGWire,MylarTape,24.31mm(.957)Length	MOLEX4Molex Electronics Ltd. 莫仕公司MOLEX莫仕公司
ADG859	文件：278.84 Kbytes Page：16 Pages	1.3ohmCMOS,1.8Vto5.5VSingleSPDTSwitch/2:1MUXinSOT-66Package GENERALDESCRIPTION TheADG859isamonolithic,CMOSSPDT(singlepole,doublethrow)switchthatoperateswithasupplyrangeof1.8Vto5.5V.Itisdesignedtoofferlowonresistanceof2.3Ωmaximumovertheentiretemperaturerangeof−40°Cto+125°C.TheADG859alsohasthecapabilityof	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司
ADG859BRYZ-REEL	文件：278.84 Kbytes Page：16 Pages	1.3ohmCMOS,1.8Vto5.5VSingleSPDTSwitch/2:1MUXinSOT-66Package GENERALDESCRIPTION TheADG859isamonolithic,CMOSSPDT(singlepole,doublethrow)switchthatoperateswithasupplyrangeof1.8Vto5.5V.Itisdesignedtoofferlowonresistanceof2.3Ωmaximumovertheentiretemperaturerangeof−40°Cto+125°C.TheADG859alsohasthecapabilityof	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司
ADG859YRYZ-REEL	文件：278.84 Kbytes Page：16 Pages	1.3ohmCMOS,1.8Vto5.5VSingleSPDTSwitch/2:1MUXinSOT-66Package GENERALDESCRIPTION TheADG859isamonolithic,CMOSSPDT(singlepole,doublethrow)switchthatoperateswithasupplyrangeof1.8Vto5.5V.Itisdesignedtoofferlowonresistanceof2.3Ωmaximumovertheentiretemperaturerangeof−40°Cto+125°C.TheADG859alsohasthecapabilityof	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司
ANT-859-DBD-DA/W	文件：197.74 Kbytes Page：1 Pages	Uniquedual-bandconfiguration.	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商
ANT859DBDDAW	文件：197.74 Kbytes Page：1 Pages	DUALBANDANTENNAS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商
BC859	文件：101.5 Kbytes Page：2 Pages	SurfaceMountGeneralPurposeSi-Epi-PlanarTransistors •Powerdissipation250mW •PlasticcaseSOT-23(TO-236) •Weightapprox.0.01g •PlasticmaterialhasULclassification94V-0 •Standardpackagingtapedandreeled	DiotecDIOTEC 德欧泰克
BC859	文件：145.7 Kbytes Page：2 Pages	SMDGeneralPurposePNPTransistors	DiotecDIOTEC 德欧泰克
BC859	文件：145.66 Kbytes Page：2 Pages	SMDGeneralPurposePNPTransistors	DiotecDIOTEC 德欧泰克
BC859	文件：1.35462 Mbytes Page：3 Pages	PNPTransistors	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司
BC859	文件：1.19227 Mbytes Page：3 Pages	PNPTransistors	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司
BC859	文件：898.7 Kbytes Page：6 Pages	SiliconPNPtransistorinaSOT-23PlasticPackage Descriptions SiliconPNPtransistorinaSOT-23PlasticPackage. Features Highcurrentgain,Lowcollector-emittersaturationvoltage. Applications Generalpoweramplifierapplication.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司
BC859	文件：75.02 Kbytes Page：2 Pages	Lowcurrent Features ●Lowcurrent(max.100mA). ●Lowvoltage(max.45V).	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司
BC859	文件：330.05 Kbytes Page：4 Pages	SOT-23SiliconPlanarEpitaxialTransistorsTRANSISTORS(PNP)	RECTRONRECTRON LTD 瑞创深圳市瑞创科技有限公司
BC859	文件：137.75 Kbytes Page：8 Pages	PNPgeneralpurposetransistors DESCRIPTION PNPtransistorinaSOT23plasticpackage. NPNcomplements:BC849andBC850. FEATURES •Lowcurrent(max.100mA) •Lowvoltage(max.45V). APPLICATIONS •Lownoiseinputstagesofaudiofrequencyequipment.	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司

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详细参数

型号：
BLV859
制造商：
PHILIPS
制造商全称：
NXP Semiconductors
功能描述：
UHF linear push-pull power transistor

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市旺财半导体有限公司	BLV859	PHILIPS/飞利浦	23+		1688	房间现货库存:QQ:373621633	询价
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更多BLV859供应商更新时间2024-4-27 10:30:00

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