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BLV33	文件：130.07 Kbytes Page：20 Pages	VHF linear power transistor DESCRIPTION NPN silicon planar epitaxial transistor encapsulated in a 1⁄16 4 fslead SOT147 capstan package with ceramic cap. All leads are isolated from the stud. FEATURES • Diffused emitter ballasting resistors for an optimum temperature profile • Gold sandwich metallization ensures exce 文件：130.07 Kbytes 页数：20 Pages	PHI 飞利浦	PHI
BLV33	文件：43.19 Kbytes Page：3 Pages	NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR DESCRIPTION: The ASI BLV33 is a Common Emitter Device Designed for Class A Television Applications. FEATURES INCLUDE: • Gold Metalization • Emitter Ballasting 文件：43.19 Kbytes 页数：3 Pages	ASI	ASI
BLV33	文件：146.63 Kbytes Page：4 Pages	VHP linear power transistor DESCRIPTION NPN silicon planar epitaxial transistor encapsulated in a Vie 4 fslead SOT147 capstan package with ceramic cap. All leads are isolated from the stud. FEATURES • Diffused emitter ballasting resistors for an optimum temperature profile • Gold sandwich metallization ensures excel 文件：146.63 Kbytes 页数：4 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
BLV33	文件：48.35 Kbytes Page：1 Pages	VHF linear power transistor Description: NPN silicon planar epitaxial transistor encapsulated in a 1/16 4 fslead SOT147 capstan package with ceramic cap. All leads are isolated from the stud. Primarily intended for use in linear VHF amplifiers for television transmitters and transposers. Features: ∗ Diffused emitter balla 文件：48.35 Kbytes 页数：1 Pages	ELEFLOW	ELEFLOW
BLV33F	文件：82.17 Kbytes Page：1 Pages	NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR DESCRIPTION: BLV33F is Designed for Operation in Band II! TV Transposers and Transmitter Amplifiers from 170 to 230MHz. FEATURES: • Gold Metalization • Internal Input Matching • Omnigold™ Metalization System 文件：82.17 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
BLV33F	文件：148.71 Kbytes Page：20 Pages	VHF linear power transistor DESCRIPTION NPN silicon planar epitaxial transistor encapsulated in a 1⁄2” 6 lead SOT119A capstan package with ceramic cap. All leads are isolated from the flange. FEATURES • Internally matched input for wideband operation and high power gain • Diffused emitter ballasting resistors for an 文件：148.71 Kbytes 页数：20 Pages	PHI 飞利浦	PHI
BLV33F	文件：23.68 Kbytes Page：1 Pages	NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR DESCRIPTION: The ASI BLV33F is Designed for Operation in Band III TV Transposers and Transmitter Amplifiers from 170 to 230 MHz. FEATURES: • Gold Metalization • Internal Input Matching • Omnigold™ Metalization System 文件：23.68 Kbytes 页数：1 Pages	ASI	ASI
BLV33	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans GP BJT NPN 33V 12.5A 4-Pin SOT-147	NJS	NJS
BLV33F	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans GP BJT NPN 33V 12.5A 6-Pin CDFM	NJS	NJS

晶体管资料

型号：
BLV33
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
甚高频（VHF）_功率放大（L）
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
65V
最大电流允许值：
12.5A
最大工作频率：
224MHZ
引脚数：
4
可代换的型号：
最大耗散功率：
1.9W
放大倍数：
图片代号：
G-256
vtest：
65
htest：
224000000
atest：
12.5
wtest：
1.9

技术参数

Output Power：
26.5(Typ)W
Number of Elements per Chip：
1
Minimum Operating Temperature：
-65°C
Minimum DC Current Gain：
100(Max)
Maximum Transition Frequency：
750(Typ)MHz
Maximum Operating Temperature：
200°C
Maximum Emitter Base Voltage：
4V
Maximum DC Collector Current：
12.5A
Maximum Collector Emitter Voltage：
33V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage：
15@3A@25AV
Maximum Base Emitter Saturation Voltage：
0.75(Typ)@0.6A@6AV
Material：
Si
Configuration：
Single Dual Emitter

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多BLV33供应商更新时间2025-12-24 10:31:00

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