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BLV33 | VHF linear power transistor DESCRIPTION NPNsiliconplanarepitaxialtransistorencapsulatedina1⁄164fsleadSOT147capstanpackagewithceramiccap. Allleadsareisolatedfromthestud. FEATURES •Diffusedemitterballastingresistorsforanoptimum temperatureprofile •Goldsandwichmetallizationensuresexce | PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦 | Philips | |
BLV33 | NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR DESCRIPTION: TheASIBLV33isaCommonEmitterDeviceDesignedforClassATelevisionApplications. FEATURESINCLUDE: •GoldMetalization •EmitterBallasting | ASI Advanced Semiconductor, Inc | ASI | |
BLV33 | VHF linear power transistor Description: NPNsiliconplanarepitaxialtransistorencapsulatedina1/164fsleadSOT147capstanpackagewithceramiccap.Allleadsareisolatedfromthestud.PrimarilyintendedforuseinlinearVHFamplifiersfortelevisiontransmittersandtransposers. Features: ∗Diffusedemitterballa | ELEFLOWeleflow technologies co., ltd. 易富乐深圳市易富乐科技有限公司 | ELEFLOW | |
BLV33 | VHP linear power transistor DESCRIPTION NPNsiliconplanarepitaxialtransistorencapsulatedinaVie4fsleadSOT147capstanpackagewithceramiccap. Allleadsareisolatedfromthestud. FEATURES •Diffusedemitterballastingresistorsforanoptimum temperatureprofile •Goldsandwichmetallizationensuresexcel | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司 | NJSEMI | |
VHF linear power transistor DESCRIPTION NPNsiliconplanarepitaxialtransistorencapsulatedina1⁄2”6leadSOT119Acapstanpackagewithceramiccap. Allleadsareisolatedfromtheflange. FEATURES •Internallymatchedinputforwidebandoperationand highpowergain •Diffusedemitterballastingresistorsforan | PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦 | Philips | ||
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR DESCRIPTION: TheASIBLV33FisDesignedforOperationinBandIIITVTransposersandTransmitterAmplifiersfrom170to230MHz. FEATURES: •GoldMetalization •InternalInputMatching •Omnigold™MetalizationSystem | ASI Advanced Semiconductor, Inc | ASI | ||
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR DESCRIPTION: BLV33FisDesignedforOperationinBandII!TVTransposersandTransmitterAmplifiersfrom170to230MHz. FEATURES: •GoldMetalization •InternalInputMatching •Omnigold™MetalizationSystem | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司 | NJSEMI |
晶体管资料
- 型号：
- 别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
- 生产厂家：
- 制作材料：
Si-NPN
- 性质：
甚高频 （VHF）_功率放大 （L）
- 封装形式：
贴片封装
- 极限工作电压：
65V
- 最大电流允许值：
12.5A
- 最大工作频率：
224MHZ
- 引脚数：
4
- 可代换的型号：
- 最大耗散功率：
1.9W
- 放大倍数：
- 图片代号：
G-256
- vtest：
65
- htest：
224000000
- atest：
12.5
- wtest：
1.9
详细参数
- 型号：
BLV33
- 功能描述：
射频双极电源晶体管 RF Transistor
- RoHS：
否
- 制造商：
M/A-COM Technology Solutions
- 配置：
Single 直流集电极/Base Gain hfe
- Min：
40
- 最大工作频率：
30 MHz 集电极—发射极最大电压
- VCEO：
25 V 发射极 - 基极电压
- VEBO：
4 V
- 集电极连续电流：
20 A
- 功率耗散：
250 W
- 封装/箱体：
Case 211-11
- 封装：
Tray
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
PHI |
05+ |
原厂原装 |
54 |
只做全新原装真实现货供应 |
询价 | ||
PHILIPS |
N/A |
28 |
询价 | ||||
PHILIPS |
23+ |
TO-55 |
1200 |
专营高频管模块,全新原装! |
询价 | ||
PHILIPS |
2022 |
TO-55 |
83 |
原厂原装正品,价格超越代理 |
询价 | ||
PH |
2020+ |
SOT-147 |
6500 |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
询价 | ||
PH |
18+ |
TO-57 |
85600 |
保证进口原装可开17%增值税发票 |
询价 | ||
PHILIPS/飞利浦 |
23+ |
144 |
现货供应 |
询价 | |||
PHLILPS |
2020+ |
高频管 |
16800 |
绝对原装进口现货,假一赔十,价格优势!? |
询价 | ||
PHILIPS/飞利浦 |
23+ |
TO-59 |
8510 |
原装正品代理渠道价格优势 |
询价 | ||
PHILIPS |
21+ |
SMD |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 |
