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BLV59	文件：104.05 Kbytes Page：12 Pages	UHF linear power transistor DESCRIPTION NPN silicon planar epitaxial power transistor encapsulated in a 6-lead SOT171A flange package with a ceramic cap. All leads are isolated from the flange. FEATURES • Internal input matching to achieve an optimum wideband capability and high power gain • Emitter-ballasting resistors 文件：104.05 Kbytes 页数：12 Pages	PHI PHI	PHI
BLV59	文件：22.41 Kbytes Page：1 Pages	NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR DESCRIPTION: The ASI BLV59 is a Common Emitter Device Designed for Class A and AB Amplifier Applications in TV Band IV-V Transmitters. FEATURES INCLUDE: • Gold Metalization • Intrnal Matching • Emitter Ballasting 文件：22.41 Kbytes 页数：1 Pages	ASI	ASI
BLV59	文件：134.96 Kbytes Page：4 Pages	UHF linear power transistor DESCRIPTION NPN silicon planar epitaxial power transistor encapsulated in a 6-lead SOT171A flange package with a ceramic cap. All leads are isolated from the flange. FEATURES • Internal input matching to achieve an optimum wideband capability and high power gain • Emitter-ballasting resistors 文件：134.96 Kbytes 页数：4 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
BLV59	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans GP BJT NPN 27V 3A 6-Pin CDFM	NJS 新泽西半导体	NJS

晶体管资料

型号：
BLV59
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
超高频/特高频（UHF）_功率放大（L）
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
50V
最大电流允许值：
3A
最大工作频率：
860MHZ
引脚数：
6
可代换的型号：
最大耗散功率：
30W
放大倍数：
图片代号：
G-244
vtest：
50
htest：
860000000
atest：
3
wtest：
30

技术参数

Output Power：
30W
Number of Elements per Chip：
1
Minimum Operating Temperature：
-65°C
Minimum DC Current Gain：
15@2A@24V
Maximum Operating Temperature：
200°C
Maximum Emitter Base Voltage：
3.5V
Maximum DC Collector Current：
3A
Maximum Collector Emitter Voltage：
27V
Maximum Collector Base Voltage：
50V
Material：
Si
Configuration：
Single Quad Emitter

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