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BLV21 | UHF power transistor N-P-N silicon planar epitaxial transistor intended for use in class-A, B and C operated h.f. and v.h.f. transmitters with a nominal supply voltage of 28 V. The transistor is resistance stabilized and is guaranteed to withstand severe load mismatch conditions. It has a 3/8 flange env 文件：80.71 Kbytes 页数：11 Pages | PHI PHI | PHI | |
BLV21 | NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR DESCRIPTION: The ASI BLV21 is Designed for Class C, 28 V High Band Applications up to 175 MHz. FEATURES: • Common Emitter • PG = 10 dB at 15 W/175 MHz • Omnigold™ Metalization System 文件：18.68 Kbytes 页数：1 Pages | ASI | ASI | |
BLV21 | NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR DESCRIPTION: The ASI BLV21 is Designed for Class C, 28 V High Band Applications up to 175 MHz. FEATURES: • Common Emitter • PG = 10 dB at 15 W/175 MHz • Omnigold™ Metalization System 文件：50.97 Kbytes 页数：1 Pages | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司 | NJSEMI | |
BLV21 | VHF power transistor Description: N-P-N silicon planar epitaxial transistor intended for use in class-A, B and C operated HF and VHF transmitters with a nominal supply voltage of 28 V. The transistor is resistance stabilized and is guaranteed to withstand severe load mismatch conditions. Features: It has a 3/8 f 文件：36.89 Kbytes 页数：1 Pages | ELEFLOW | ELEFLOW | |
BLV21 | VHF power transistor | NJS | NJS |
晶体管资料
- 型号：
- 别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
- 生产厂家：
- 制作材料：
Si-NPN
- 性质：
甚高频 （VHF）_功率放大 （L）
- 封装形式：
贴片封装
- 极限工作电压：
65V
- 最大电流允许值：
1.75A
- 最大工作频率：
175MHZ
- 引脚数：
4
- 可代换的型号：
- 最大耗散功率：
15W
- 放大倍数：
- 图片代号：
G-266
- vtest：
65
- htest：
175000000
- atest：
1.75
- wtest：
15
详细参数
- 型号：
BLV21
- 功能描述：
射频双极电源晶体管 RF Transistor
- RoHS：
否
- 制造商：
M/A-COM Technology Solutions
- 配置：
Single 直流集电极/Base Gain hfe
- Min：
40
- 最大工作频率：
30 MHz 集电极—发射极最大电压
- VCEO：
25 V 发射极 - 基极电压
- VEBO：
4 V
- 集电极连续电流：
20 A
- 功率耗散：
250 W
- 封装/箱体：
Case 211-11
- 封装：
Tray
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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