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BLW60	文件：86.25 Kbytes Page：15 Pages	VHF power transistor DESCRIPTION N-P-N silicon planar epitaxial transistor intended for use in class-A, B and C operated mobile, industrial and military transmitters with a nominal supply voltage of 12,5 V. The transistor is resistance stabilized and is guaranteed to withstand severe load mismatch conditions with a 文件：86.25 Kbytes 页数：15 Pages	PHI PHI	PHI
BLW60C	文件：86.25 Kbytes Page：15 Pages	VHF power transistor DESCRIPTION N-P-N silicon planar epitaxial transistor intended for use in class-A, B and C operated mobile, industrial and military transmitters with a nominal supply voltage of 12,5 V. The transistor is resistance stabilized and is guaranteed to withstand severe load mismatch conditions with a 文件：86.25 Kbytes 页数：15 Pages	PHI PHI	PHI
BLW60C	文件：37.47 Kbytes Page：1 Pages	NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR DESCRIPTION: The ASI BLW60C is Designed for 12.5 V High Band Applications up to 175 MHz. FEATURES: • Common Emitter • PG = 5.0 dB at 45 W/175 MHz • Omnigold™ Metalization System 文件：37.47 Kbytes 页数：1 Pages	ASI	ASI
BLW60C	文件：101.86 Kbytes Page：3 Pages	VHP power transistor DESCRIPTION N-P-N silicon planar epitaxial transistor intended for use in class-A, B and C operated mobile, industrial and military transmitters with a nominal supply voltage of 12,5 V. The transistor is resistance stabilized and is guaranteed to withstand severe load mismatch conditions with a 文件：101.86 Kbytes 页数：3 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
BLW60	文件：300 bytes Page：1 Pages	VHF power transistor DESCRIPTION\nN-P-N silicon planar epitaxial transistor intended for use in class-A, B and C operated mobile, industrial and military transmitters with a nominal supply voltage of 12,5 V. The transistor is resistance stabilized and is guaranteed to withstand severe load mismatch conditions with a sup	恩XP	恩XP
BLW60C	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans GP BJT NPN 16V 9A 4-Pin CRPM	NJS 新泽西半导体	NJS

晶体管资料

型号：
BLW60
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
调幅（AM）_甚高频（VHF）_功率放大（L）
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
36V
最大电流允许值：
8A
最大工作频率：
175MHZ
引脚数：
4
可代换的型号：
BLY90,BLY94,3DK208A,
最大耗散功率：
45W
放大倍数：
图片代号：
G-127
vtest：
36
htest：
175000000000
atest：
8
wtest：
45

技术参数

Output Power：
45W
Number of Elements per Chip：
1
Minimum DC Current Gain：
10@4A@5V
Maximum Transition Frequency：
650(Typ)MHz
Maximum Operating Temperature：
200°C
Maximum Emitter Base Voltage：
4V
Maximum DC Collector Current：
9A
Maximum Collector Emitter Voltage：
16V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage：
1.5(Typ)@2.5A@12.5AV
Material：
Si
Configuration：
Single Dual Emitter

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