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BLW60C	文件：86.25 Kbytes Page：15 Pages	VHF power transistor DESCRIPTION N-P-Nsiliconplanarepitaxialtransistorintendedforuseinclass-A,BandCoperatedmobile,industrialandmilitarytransmitterswithanominalsupplyvoltageof12,5V.Thetransistorisresistancestabilizedandisguaranteedtowithstandsevereloadmismatchconditionswitha	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BLW60C	文件：37.47 Kbytes Page：1 Pages	NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR DESCRIPTION: TheASIBLW60CisDesignedfor12.5VHighBandApplicationsupto175MHz. FEATURES: •CommonEmitter •PG=5.0dBat45W/175MHz •Omnigold™MetalizationSystem	ASI Advanced Semiconductor	ASI
BLW60C	文件：101.86 Kbytes Page：3 Pages	VHP power transistor DESCRIPTION N-P-Nsiliconplanarepitaxialtransistorintendedforuseinclass-A,BandCoperatedmobile,industrialandmilitarytransmitterswithanominalsupplyvoltageof12,5V.Thetransistorisresistancestabilizedandisguaranteedtowithstandsevereloadmismatchconditionswitha	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI

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BLW60C

文件：86.25 Kbytes

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VHF power transistor

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PhilipsPhilips Semiconductors

飞利浦荷兰皇家飞利浦

Philips

BLW60C

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NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

DESCRIPTION: TheASIBLW60CisDesignedfor12.5VHighBandApplicationsupto175MHz. FEATURES: •CommonEmitter •PG=5.0dBat45W/175MHz •Omnigold™MetalizationSystem

ASI

Advanced Semiconductor

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BLW60C

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VHP power transistor

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司

NJSEMI

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更多BLW60C供应商更新时间2025-7-23 10:31:00

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