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BLW80	文件：62.32 Kbytes Page：11 Pages	UHF power transistor DESCRIPTION N-P-N silicon planar epitaxial transistor intended for transmitting applications in class-A, B or C in the u.h.f. and v.h.f. range for nominal supply voltages up to 13,5 V. The resistance stabilization of the transistor provides protection against device damage at severe load mismatc 文件：62.32 Kbytes 页数：11 Pages	PHI PHI	PHI
BLW80	文件：18.62 Kbytes Page：1 Pages	NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR DESCRIPTION: The ASI BLW80 is Designed for Class A,B or C UHF & VHF Communication applications up to 470 MHz. FEATURES: • PG = 8.0 dB Typical at 470 MHz • Omnigold™ Metallization System 文件：18.62 Kbytes 页数：1 Pages	ASI	ASI
BLW80	文件：105.42 Kbytes Page：4 Pages	UHF power transistor DESCRIPTION N-P-N silicon planar epitaxial transistor intended for transmitting applications in class-A, B or C in the u.h.f. and v.h.f. range for nominal supply voltages up to 13,5 V. The resistance stabilization of the transistor provides protection against device damage at severe load mismatc 文件：105.42 Kbytes 页数：4 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
BLW80	文件：53.53 Kbytes Page：2 Pages	UHF power transistor Description: N-P-N silicon planar epitaxial transistor intended for transmitting applications in class-A, B or C in the UHF and VHF range for nominal supply voltages up to 13.5 V. The resistance stabilization of the transistor provides protection against device damage at severe load mismatch cond 文件：53.53 Kbytes 页数：2 Pages	ELEFLOW	ELEFLOW
BLW80	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans GP BJT NPN 17V 1A 4-Pin CRPM	NJS	NJS

晶体管资料

型号：
BLW80
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
超高频/特高频（UHF）_功率放大（L）
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
36V
最大电流允许值：
1A
最大工作频率：
470MHZ
引脚数：
4
可代换的型号：
BLU97,BLW43,BLX68,BLY53,
最大耗散功率：
4W
放大倍数：
图片代号：
G-56
vtest：
36
htest：
470000000000
atest：
1
wtest：
4

技术参数

Output Power：
4W
Number of Elements per Chip：
1
Minimum DC Current Gain：
10@0.5A@5V
Maximum Transition Frequency：
1750(Typ)MHz
Maximum Operating Temperature：
200°C
Maximum Emitter Base Voltage：
4V
Maximum DC Collector Current：
1A
Maximum Collector Emitter Voltage：
17V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage：
0.75(Typ)@0.3A@1.5AV
Material：
Si
Configuration：
Single Dual Emitter

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